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场效应管MOSFET

(共找到“6”条查询结果)
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  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    PTP/F8N80

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    PUOLOP

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

大量供应各种型号的MOS管、二三*管PTP高压场效应系列:1N60 TO-92PTU/D1N60 TO-251/TO-252PTU/D1N65 TO-251/TO-252PTU/D2N60 TO-251/TO-252PTU/D2N65 TO-251/TO-252PTU/D4N60 TO-251/...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQPF60N80C

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    LMP-C/阻*变换

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

宁波海曙玖龙电子有限公司代理分销国内外电子元器件。玖龙电子所提供的元器件用途广泛涉及汽车电子、工控、通信、电源、仪器仪表、计算机周边以及消费类电子等多个领域。玖龙电子像一...

  • 品牌:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号:

    2SK-10S1B

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

网址:http://nboutedz.cn.alibaba.com因为,所以!质优价廉,质量*!

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQPF9N50/FQPF9N50C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 跨导:

    1(μS)

  • *间电容:

    1(pF)

  • 低频噪声系数:

    1(dB)

销售*原装 ,公司与多家*售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。宁波市鄞州弈鸣电子有限公司经销的功率器件、MOSFET、IGBT、可控硅、电源管理IC、稳压电路、光藕、二*管、三*管、等...

  • 品牌/商标:

    台湾芯片

  • 型号/规格:

    8N60

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

供应MOS系列8N60慈溪爱能电子科技有限公司位于浙江慈溪,爱能电子科技公司是一家以设计,开发,销售(集成电路)电子元器件、、水处理剂、净水絮凝剂等产品的公司。公司与多家国内外...

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    ME微盟

  • 型号/规格:

    ME2301M

  • 封装:

    SOT23-3L

  • 批号:

    09

宁海诚芯电子科技有限公司销售部位于中国浙江宁海西店,宁海诚芯电子科技有限公司销售部是一家驱动IC、升压IC、恒流IC、MOS管、驱动模块等产品的经销批发的私营合伙企业。宁海诚芯电...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

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