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场效应管MOSFET

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东芝IGBT模块MG75Q2YS1 现货库存

品牌:TOSHIBA/东芝型号:MG75Q2YS1 批号:A 封装:AAA 营销方式:现货产品性质:新品集成程度:小规模规格尺寸:-（mm）工作温度:-（℃）静态功耗:-（mW）*东芝IGBT模块MG75Q2YS1

电话：0871-3318398

场效应管MOSFET技术资料

场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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