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结型场效应管

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： IGBT单管 IGBT管 n沟道结型场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

经销商
上海
源头工厂
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贴片场效应管
贴片场效应管
  • 型号/规格：

    贴片场效应管系列

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    贴片

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

供应贴片场效应管系列 价格优势 现货优势 欢迎咨询 购前须知： 1：由于型号种类繁多，价格时有更新，请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。 2：买家咨询的时候请务必说清楚（完整型...

SI7858BDP-T1-GEv 2.5mohms pwrpak so-8 n-c
SI7858BDP-T1-GEv 2.5mohms pwrpak so-8 n-c
  • 品牌/商标：

    Vishay/威世通

  • 型号/规格：

    SI7858BDP-T1-GE3

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-ARR/陈列组件

SI7858BDP-T1-GE3 12v 2.5mohms pwrpak so-8 n-ch原装*！"

FQA28N50F TO-* *童品牌，上海原装现货库存，优势价格
FQA28N50F TO-* *童品牌，上海原装现货库存，优势价格
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQA28N50F TO-*

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

上海名振电子有限公司FRE*CALE系列产品：MC3334DWR2 MC33092DW MC33094DW MC33095DW MC79076DW CS3341 CS3351 MC68HC908QT2MD;安森美(ON)的汽车点火器;点火模块等..;如:NGB15N41CLT4G...

Vishay IRF730PBF 300K
Vishay IRF730PBF 300K
  • 品牌/商标：

    Vishay/威世通

  • 型号/规格：

    IRF730PBF

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

我司大部分货物在香港九龙仓库，内地交货须开具增值税17%*我司会安排报关，或者我司可以安排香港本地交货。具体数量以及单价,D/C（单价是随市场各品牌货源是否紧缺不断变动，网站报价...

原装现货2N7002
原装现货2N7002
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    2N7002

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

封装:SOT23 品牌：英飞凌/ON安森美 年份：10年无铅 供应信息：N：60V0.15A 现货供应 量大从优! 上海振兴是一家代理和销售电子元器件为一体的企业。每月*请登陆http://zhenxing889.cn....

场效应管 IRFP254 IXTR 30N25 DPH 30
场效应管 IRFP254 IXTR 30N25 DPH 30

    N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.14Ω，漏电流为25A）)主要作用：1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻*很高，因此耦合电容可以容量较小，不*使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻**适合作阻*变换。常用于多级放大器的输入级作阻*变换。3....

    BL场效应管2N7002,SOT-23
    BL场效应管2N7002,SOT-23
    • 品牌：

      BL银河Galaxy

    • 型号：

      2N7002,SOT-23

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      AM/调幅

    • 封装外形：

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料：

      M*金属半导体

    我公司是一家经营电子元器件的公司，2002年成立，注册资金200万美元，平均年销售额1200万美元。总公司在香港，由于业务发展需要，又分设了上海、深圳分公司，2008年我司又在深圳设立L...

    NDS332P
    NDS332P
    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格：

      NDS332P

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      P沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      MOS-FBM/全桥组件

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      SIT静电感应

    NDS332P SOT-23 *原装 08年 价优经营直插系列，*i压力传感器，COPAL电位器及编码器，AMP插件，贴片系列元件，贴片电阻，贴片电阻，贴片电容，贴片电路,干簧管，霍尔元件等 价格可以洽...

    各系列三*管场效应管STP60NF06
    各系列三*管场效应管STP60NF06
    • 品牌/商标：

      ST/意法

    • 型号/规格：

      STP60NF06 TO-220

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      GEP/互补类型

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      M*金属半导体

    上海信敬电子有限公司是一家的电子元器件供应商。销售世界各厂家IC集成电路,晶振，二、三*管，电阻，电容，电感，电子配套工具等。公司本着“质量如生命，质量是企业发...

    批量*童IGBT单管SGH40N60UFD G40N60
    批量*童IGBT单管SGH40N60UFD G40N60
    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格：

      SGH40N60UFD

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      TR/激励、驱动

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      GE-N-FET锗N沟道

    Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise notedNotes :(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperatureThermal Characteristic...

    *原装日本三菱射频功率管RD30HVF1（图）质量*
    *原装日本三菱射频功率管RD30HVF1（图）质量*
    • 品牌/商标：

      ADV美国*半导体

    • 型号/规格：

      型号

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    好世贸易公司是一家经营射频电子器件，通讯IC等相关产品的技术型*分销公司。公司本着诚信经营，诚信友谊的原则进行贸易。公司的*产品均原厂订货，质量*！三菱RA系列高频功率模块；三...

    FQP33N10场效应管
    FQP33N10场效应管
    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格：

      FQP33N10

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      L/功率放大

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    供应原装FQP33N10场效应管 上海塔索电子有限公司主要经营直插/贴片:场效应管.肖特基二*管.快恢复二*管.三*管.稳压IC .驱动电路.可控硅和偏冷门元件.欢迎来人来电或网上联系.

    N沟道耗尽型场效应管 3DO6 3D06
    N沟道耗尽型场效应管 3DO6 3D06
    • 品牌/商标：

      上海

    • 型号/规格：

      3D06

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      D-G双栅四*

    • 封装外形：

      SP/*外形

    • 材料：

      GaAS-FET砷化镓

    上海天蓉电子主要经销国外品牌集成电路、变压器、电阻电容、二三*管、接插件；在国产元器件方面有比较大的优势。一直秉承“诚实守信，用户至上”的原则和...

    东芝原装 现货 TB9000
    东芝原装 现货 TB9000
    • 品牌/商标：

      TOSHIBA/东芝

    • 型号/规格：

      TB9000FG

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 开启电压：

      1（V）

    • 夹断电压：

      1（V）

    • 跨导：

      1（μS）

    部件型号TB9000FG 产品分类汽车CPU调整器，内置看门狗定时器 功能低电流损耗：120μA，内置看门狗定时器。 输出电压 (标准) (V)5 输出电流 () (mA)10 输入电压(1秒), max45...

    东芝代理2SA1203-Y
    东芝代理2SA1203-Y
    • 品牌/商标：

      TOSHIBA/东芝

    • 型号/规格：

      2SA1203

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 类型：

      通信IC

    • 批号：

      2010+

    • 封装：

      SOP/DIP

    本公司为东芝代理商，**产品均为东芝原厂，现货供应，订货价格竞争力强,该料为香港发货 部件型号2SA1203 *性PNP 互补产品2SC2883 集电*-发射*电压VCEO-30 V 集电*电流(DC) IC(DC)-1.5...

    IR 原装开关电源MOS——IRFB31N20DPBF
    IR 原装开关电源MOS——IRFB31N20DPBF
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRFB31N20DPBF

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 开启电压：

      5.5（V）

    •导通电阻：RDS(on) max=82mΩ •工作温度范围：-55 ~ 175°C •封装形式：TO-220AB •VDS=200V &am...

    东芝代理 原装现货 场效应管 2sk3878
    东芝代理 原装现货 场效应管 2sk3878
    • 品牌/商标：

      TOSHIBA/东芝

    • 型号/规格：

      2sk3878

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 漏*电流：

      1

    • 跨导：

      1

    • 开启电压：

      1

    件型号2SK3878 *性N沟 漏源电压VDSS900 V 漏电流ID9 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)60 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.3 Ω 封装TO-*(N) 管脚数3 表面安装...

    结型场效应管P沟道 IRF9640S *原装
    结型场效应管P沟道 IRF9640S *原装
    • 品牌：

      IR

    • 型号：

      IRF9640S

    品牌/商标 IR 型号/规格 IRF9640S 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 述 II IRF9640S晶体管*性:P沟道电压, Vds :200V开态电阻, Rds(on):0.5ohm功耗:125W封装类型:D2-PAKSVHC(高度关注物质):No SVHCSMD标号:IRF9640S功率, Pd:125W功耗(于1平方英寸PCB):3W封装类型:D2-PAK封装类型, 替代:D2-PAK晶体管类型:MOSF...

    MDQ18N50G
    MDQ18N50G
    • 品牌：

      美格纳

    • 型号：

      MDQ18N50

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      D/变频换流

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      GE-N-FET锗N沟道

    MDQ18N50 20A 500V可以代替IRFP460PBF 上海贯翼电子有限公司是一家的半导体分立器件代理分销商，有着多年的电子元器件销售及配套经验，公司拥有的销售工程师和技术支持工程师，能够为...

    各系列三*管场效应管IRFP264
    各系列三*管场效应管IRFP264
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRFP264

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      D-G双栅四*

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      ALGaAS铝镓砷

    上海信敬电子销售世界各厂家IC集成电路,晶振，二、三*管，电阻，电容，电感，电子配套工具等。竭诚用热情的服务，真诚的态度为您做好质量上的把关。买家须知：① 电子元件是性的产品...

    结型场效应管行业资讯

    • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

      结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压

    • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

      结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压

    什么是结型场效应管?

    • 　　在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区)，就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道，称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。

    • 目录

      结型场效应管

    结型场效应管技术资料

    • 结型场效应管的主要参数[2024-06-18]

      1.夹断电压UP　　在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。　　2.饱和漏极电流/oss　　在栅—源极...

    • FET知识：采用结型FET实现的放大电路经典案例[2024-05-06]

      结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例：　　结型FET源极接地放大电路　　电路结构：　　该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

    • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

      为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。　　u下面通过栅-源电压uc和...

    • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

      1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...

    • 结型场效应管（JFET）的主要参数[2010-06-10]

      （1）. 夹断电压VP　　当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。　　（2）. 饱和漏极电流IDSS　　在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。　　（3）. 直流输入电阻RGS　　它是在漏-...

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