矽利康
SSF6010
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
MOSFETPart NumberPackageConfigurationVDSS min(V)VGS(V)VGS(th) min(V)RDS(on) maxQg t* @Vgs=10V(nC)Qg t* @Vgs=4.5V(nC)Qgs(nC)Qgd(nC)ID(A)Pd max(W)Rg t*(Ω)at V...
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H20R1202
结型(JFET)
N沟道
增强型
宝贝概略*，*出售！ 邮资说明 本店设置的邮费均以快递公司收费为准，所标均为*重快递费，具体邮费请咨询卖家。 本店可以发申通，圆通，中通，韵达等快递及EMS和平邮，一般选择发快递...
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杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立电子元器件为主.多元化发展的公司.主要经营各类RX20珐琅/RX21被漆/RXG20波纹/RX27水泥/RXQ酚醛/RX24铝壳/ZB板形/DX7滑动变阻器等大功率线绕电阻以及 RV/RA/CP/FCP/HP/WS/WX/WH/WI/WDD等*.国产线绕.碳膜.实芯.多圈.玻璃釉.导电塑料电位器,上海永星开关厂KCD/KD2/AD系列开关/苏州...
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品牌：STI美国半导体技术型号：HFP50N06种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型HFP50N06 功率120W 50A 60V 内阻0.022,TO-220,有大量库存,*销售,有需要者请及时联系.联系电话.联系人:钟"
电话：86 0571 89908245
品牌：ST/意法型号：STP75NF75种类：*缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型我公司现大量现货出售ST品牌STP75NF75,产地中国,摩洛哥.,*出售,欢迎来电洽谈"
电话：0571-88009842
品牌:silan 型号:SVD12N65F 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:4（V） *间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏*电流:4A（mA） 耗散功率:100W（mW）电压 650V 产品名称 SVD12N65 参数ID 12A 参数RDSON(MAX...
电话：571-87550591
品牌:国产 型号:3DJ4 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:10（mA） 耗散功率:100（mW）杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立...
电话：571-88009785
结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例： 结型FET源极接地放大电路 电路结构： 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...
（1）. 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 （2）. 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。 （3）. 直流输入电阻RGS 它是在漏-...
CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。 CS系列结型场效应管主要特性参数
