您现在的位置:首页 > 元器件(最新) > 场效应管MOSFET >

结型场效应管

(共找到“25”条查询结果)
广告
广告
广州
源头工厂
1/2 跳至 下一页
  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRFP140N

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

LD广州连得电子 SYNCMOS 新茂单机片代理, 大量现货供应 代理台湾新茂SYNCMOS单片机现货销售及方案开发,提供技术支持专营: 实体店经营,拍前烦请联系,*无误 代理风华全系列电容 大...

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    2SC5508

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

因为网标价写不出小数点,请量大的客户详细咨询,更优惠!供应大批量,价格优势!样品可出,样品价重新咨询!*普通*收6点,增殖17点*请详细咨询!*原装!代客拷贝测试烧录程序!技术...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IR2111strpbf

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HI-REL/高*性

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

江鑫电子是一家的电子元件供应商。欢迎来电咨询江先生主要经营:可控硅,三端稳压,74、4000系列,光耦(光电耦合器),电源IC,场效应管(MOS),IGBT,快恢复二*管,肖特基,单片机...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    *童场效应管FQP50N06

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

FQP50N06 MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220 原装,耐压耐温高,介质损耗漏电小,频率特性好。适合科技,电脑,汽车,通信设备,家电等。售前服务:提供样品规格书,运费由客户支付,批量...

  • 品牌:

    IR/国际整流器

  • 型号:

    IRFI830

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

广州晋源电子有限公司 主营 三*管,可控硅,场效应管,光藕IC,三端稳压,MOS管,日立稳压管,光耦817 主做牌子FSC ST PHI KEC TOS HIT 原装,长期现货, 价格优势 林先生"

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQP8N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

批发场效应,量多价优。"

  • 品牌/商标:

    AO

  • 型号/规格:

    2N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    ZF/中放

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

友,感谢您在千*万的卖家当中选择了我们,进入到我们(新源电子元件销售店)的阿里巴巴网络销售中心,我们将以优质的配件质量,的服务态度来回报的大驾光临,回报你的惠顾!!◆本店不...

  • 品牌/商标:

    MOT美国摩托罗拉

  • 型号/规格:

    12N06 TO-252

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MIX/混频

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

广州恒辉电子代理、分销:贴片电容、贴片电阻(0201-2512大小功率一系列)、排阻、可调电阻、涤纶电容、钽质电容、贴片电感、贴片磁珠、贴片二*管、贴片三*管、整流管、发光管、IC集...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    25N120

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

现货库存15N120 20N120 25N120 20R120 25T120现货库存15N120 20N120 25N120 20R120 25T120 现货库存15N120 20N120 25N120 20R120 25T120现货库存15N120 20N120 25N120 20R120 25T120...

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    V*10N07

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 用途:

    D/变频换流

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

公司销售各种电子元器件*;全系列整流桥堆,铝电解电容,二三*管,三端稳压,CBB电容,安规电容(X2 Y1 Y2),高 中 低陶瓷电容(50V-30KV),压(热)敏电阻,集成IC,光耦,可控硅...

  • 漏*电流:

    7

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 型号/规格:

    2SJ74GR-BL-V/2SK170GR.BL

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 沟道类型:

    P沟道

更多型号请联系更多型号请联系经营范围二、三*管、场效应、可控硅、三端稳压、晶振、滤波、变容管、微调电阻电容、快速、肖特基、桥堆、干环管、放电管、IC集成电路、电源配件、手机...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFP460

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    LMP-C/阻*变换

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

供应原装* 国际整流器 美国IR品牌 T: :林生

  • 品牌/商标:

    台湾封装,

  • 型号/规格:

    SI3406

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

优势供应MOS场效应管-SI3406,封装SOT-23-3L,货源充足、质量稳定、以诚为本,欢迎各大厂家前来订购,价格面议,谢谢!"

  • 品牌/商标:

    GI

  • 型号/规格:

    *6040

  • 封装形式:

    TO-*

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 夹断电压:

    40(V)

  • 饱和漏*电流:

    60(mA)

<!-- .at_2{BORDER-TOP: #f8f8f8 1px solid; BORDER-BOTTOM: #f8f8f8 1px solid} .at_0{BORDER-RIGHT: #ffffff 1px solid; BORDER-TOP: #ffffff 1px solid; BORDE...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3205PBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

广州市越秀区威尔达电子商行 地址:广州市越秀区惠福西路222号*层 : 传真: 手机: 苏坚平 QQ :8294 MSN : : 公司网站:http://gdwed2008.cn 维库商铺:http://gdwed.dzsc.com 原...

  • 品牌:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号:

    K25N120,H20R1202,H20R1203

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

我司是一家供应IGBT管的公司,产品*了国际同类产品*水平,产品国内外,深得用户青睐和*。

  • 型号/规格:

    K4107

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 属性:

    属性值

主营音箱、功放、焊机、电源等直插、贴片、二、三*管、IC、场效应、稳压管、电容、电阻,为各大生产厂家提供配套服务。 *系列: KECB688/D718, B778/D998,B817/D1047,三垦X4202S,L420...

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    80N03

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

供应各种拆机及原装场效应管,欢迎咨询惠顾!IRFBC20 IRFBC30 IRFB*0 IRF530 IRF540 IRF630 IRF640 IRF650 IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 IRF820 IRF830 IRF840 IRFZ20 IRFZ24 IRFZ30 IR...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF9640

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MAP/匹配对管

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    M*金属半导体

【名称】功率场效应管【品牌】IR/VISHAY【型号】IRF9640【*】无铅*【封装】TO-220【*性】P-沟道【电压】-200V【功率】125W【电流】-11A【内阻】0.5Ω【配对】IRF640【描...

    品牌:INFINEON/英飞凌型号:11N60种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型开启电压:600(V) 夹断电压:600(V) 跨导:1(μS) *间电容:1(pF) 低频噪声系数:2(dB) 漏*电流:11(mA) 耗散功率:1(mW) 本公司长期大量稳定供应全系列IRF场效应管,手货源,价格优势,品种*,质量*, 欢迎各...

    • 陈旭然
    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:广东广州
    • 电话:86 020 62794020

      手机:15002021400

    结型场效应管行业资讯

    • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

      结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

    • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

      结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

    什么是结型场效应管?

    •   在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区),就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。
    • 结型场效应管

    结型场效应管技术资料

    • FET知识:采用结型FET实现的放大电路经典案例[2024-05-06]

      结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例:  结型FET源极接地放大电路  电路结构:  该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

    • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

      为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。  u下面通过栅-源电压uc和...

    • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

      1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...

    • 结型场效应管(JFET)的主要参数[2010-06-10]

      (1). 夹断电压VP  当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。  (2). 饱和漏极电流IDSS  在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。  (3). 直流输入电阻RGS  它是在漏-...

    • CS系列N沟道结型场效应管[2008-04-23]

      CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。  CS系列结型场效应管主要特性参数

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

    在采购结型场效应管进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

    免责声明:以上所展示的结型场效应管信息由会员自行提供,结型场效应管内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

    友情提醒:为规避购买结型场效应管产品风险,建议您在购买结型场效应管相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。

    广东
    浙江
    新疆
    河北
    内蒙古
    山西
    吉林
    黑龙江
    江苏
    辽宁
    安徽
    福建
    江西
    山东
    河南
    湖北
    湖南
    广西
    海南
    贵州
    云南
    西藏
    四川
    青海
    陕西
    甘肃
    宁夏
    台湾
    澳门
    香港