产品
发布采购信息 修改/删除采购【看报价】
您现在的位置：首页 > 元器件(最新) > 场效应管MOSFET >

结型场效应管

（共找到“11”条查询结果）
广告
广告
更多>>

MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： IGBT单管 IGBT管 n沟道结型场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

经销商
北京
源头工厂
HRD12003E模块
HRD12003E模块
  • 型号/规格：

    HRD12003E

  • 品牌/商标：

    新电源

  • 封装形式：

    DIP-9

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

欢迎咨询: ： 李，郭，：010－，传真FAX：010－北京市海淀区中关村东路18号财智国际大厦C-1901室 Http：//www.bjcxyic.com E-mail:

  • 深圳华翼电子商行
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:北京北京市

    • 电话：0755-85287935

    手机：13723400582

HAT2174H-EL-E
HAT2174H-EL-E
  • 品牌/商标：

    REN*AS/瑞萨

  • 型号/规格：

    HAT2174H-EL-E

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形：

    SP/*外形

HAT2174H-EL-E分类：MOSFET，GaNFET - 单品牌：Renesas ElectronicsMOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK

MJE15031G 大量现货 原装
MJE15031G 大量现货 原装
  • 型号/规格：

    MJE15031G

  • 品牌/商标：

    0N/安森美

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    增强型

南电公司成立于2002年,是一家专门从事电子元器件代理销售及相关技术支持的化公司.是国内外多家公司授权的北京地区代理商.主要致力于电源,电力,通讯,仪表,汽车及家电等行业元器件的推...

现货IKW20N60T原装英飞凌IGBT单管
现货IKW20N60T原装英飞凌IGBT单管
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    IKW20N60T

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

型号：IKW20N60T IKP20N60T20A 600V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒Tc = 25℃/100℃ Ic = 40A/20A；VCE（sat）= 1.50V；Tsc = 5us 特点： ☆工作结温可达Tjmax≤175℃ ☆内...

东芝JS8850A-AS
东芝JS8850A-AS
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    JS8850A-AS

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MW/微波

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

订货供应东芝原装*高频微波管20个起订。成交价格决定于采购数，订货周期12周。请联系 "

*童IGBT SGH80N60UFD 北京原装*现货
*童IGBT SGH80N60UFD 北京原装*现货
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    SGH80N60UFD

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

一、IGBTSGH80N60UFD主要技术参数• High speed switching• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A• High input impedance&a...

IR*原装驱动 IRMCK341TY IRMCK341T IRMCK341
IR*原装驱动 IRMCK341TY IRMCK341T IRMCK341
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    IRMCK341TY

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途：

    AM/调幅

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

北京*博*电子科技有限公司是一家经*相关部门批准注册的企业。北京*博*科技发展有限公司凭着良好的信用、优良的服务与多家企业建立了长期的合作关系。北京*博*科技发展有限公司热诚欢...

原装英飞凌IGBT单管IKW40N120T2
原装英飞凌IGBT单管IKW40N120T2

    品牌：INFINEON/英飞凌型号：IKW40N120T2种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：L/功率放大材料：N-FET硅N沟道型号：IKW40N120T2 40A 1200V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = 75A/40A；VCE（sat）= 1.70V； 特点： ☆工作结温可达Tjmax≤175℃ ☆正温被系数饱和压降易于并...

    HAT2174H-EL-E
    HAT2174H-EL-E

      HAT2174H-EL-E分类：MOSFET，GaNFET - 单品牌：Renesas ElectronicsMOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK

      低压 Optimos单管
      低压 Optimos单管
      • 型号/规格：

        低压 Optimos单管

      • 品牌/商标：

        Infineon

      • 封装形式：

        未知

      • *类别：

        无铅*型

      • 安装方式：

        贴片式

      • 包装方式：

        单件包装

      • 功率特征：

        *功率

      低压 Optimos单管供应 低压 Optimos单管

      现货IRGP50B60PD1 特价
      现货IRGP50B60PD1 特价
      • 品牌/商标：

        IR/国际整流器

      • 型号/规格：

        IRGP50B60PD1

      • 种类：

        结型(JFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        A/宽频带放大

      • 封装外形：

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料：

        ALGaAS铝镓砷

      制造商: INTERNATIONAL RECTIFIER 制造商编号: IRGP50B60PD1PBFRoHS协从产品:是描述晶体管类型:IGBT集电极直流电流:75A饱和电压, Vce sat :2.35V功耗:390W电压, Vceo:600V封装类型:TO...

      结型场效应管行业资讯

      • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

        结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压

      • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

        结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压

      什么是结型场效应管?

      • 　　在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区)，就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道，称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。

      • 目录

        结型场效应管

      结型场效应管技术资料

      • 结型场效应管的主要参数[2024-06-18]

        1.夹断电压UP　　在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。　　2.饱和漏极电流/oss　　在栅—源极...

      • FET知识：采用结型FET实现的放大电路经典案例[2024-05-06]

        结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例：　　结型FET源极接地放大电路　　电路结构：　　该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

      • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

        为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。　　u下面通过栅-源电压uc和...

      • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

        1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...

      • 结型场效应管（JFET）的主要参数[2010-06-10]

        （1）. 夹断电压VP　　当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。　　（2）. 饱和漏极电流IDSS　　在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。　　（3）. 直流输入电阻RGS　　它是在漏-...

      热门产品推荐

      电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

      在采购结型场效应管进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

      免责声明：以上所展示的结型场效应管信息由会员自行提供，结型场效应管内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

      友情提醒：为规避购买结型场效应管产品风险，建议您在购买结型场效应管相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务"，买卖都安全。

      友情链接： 楼宇可视对讲 嘉善楼盘 平乐二手房 触发器件 安全锤工具厂家 电子元器件交易网

      ©2024 维库电子市场网　经营许可证编号：浙B2-20050339 版权声明
      买家服务热线：0571-85317607 | 买家服务部QQ： QQ:1609526468
      卖家服务热线：0571-85317607 | 卖家服务部QQ： QQ:331652727
      广东
      浙江
      新疆
      河北
      内蒙古
      山西
      吉林
      黑龙江
      江苏
      辽宁
      安徽
      福建
      江西
      山东
      河南
      湖北
      湖南
      广西
      海南
      贵州
      云南
      西藏
      四川
      青海
      陕西
      甘肃
      宁夏
      台湾
      澳门
      香港