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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9&Omeg...
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型号:FPQF12N60C 封装:TO-220F厂家:FSC 备注:新货主营:场效应、可控硅、肖特基、快恢复,二三*管、电源管理IC及偏冷停产IC元件等.IR公司(国际整流器),FAIRCHILD(飞兆),INFINEON(...
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東莞市星濤電子有限公司是國內一家集代理商、銷售、服務為一體的公司,公司主要從事電阻器、電容器、二三極管、場效應管、集成電路等配套服務。面對日趨激烈的市場競爭,優勝劣汰,公...
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特点: (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;
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品牌/商标 东光 型号/规格 DG 1N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 2-4(V) 跨导 0.9(μS) *间电容 120(pF) 低频噪声系数 0.1(dB) 漏*电流 1000(mA) 耗散功率 4000(mW)
电话:0769-86203789
品牌/商标 Fairchild 型号/规格 FDN337N SOT-23 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 5(V) 夹断电压 2(V) 低频跨导 10(μS) *间电容 1(pF) 低频噪声系数 20(dB) 漏*电流 2(mA) 耗散功率 3(mW) 技术/目录信息FDN337N销售商Fai...
电话:0769-83033107
品牌:IR 型号:供应场效应管 IRFP360 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型 用途:UNI/一般用途 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:-(V) 夹断电压:-(V) 低频跨导:-(μS) *间电容:-(pF) 低频噪声系数:-(dB) 漏*电流:-(mA) 耗散功率:-(mW)供应场效应管 IRFP360东...
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结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...
(1). 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。 (2). 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。 (3). 直流输入电阻RGS 它是在漏-...