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结型场效应管

(共找到“22”条查询结果)
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东莞
源头工厂
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  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    AUK全系列

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    HEMT高电子迁移率

群航代理韩国AUK贴片、直插三*管,备有大量库存现货,原装*。请登录乐拓公司网站:http://www.dggwdz.com/ 查询,或者来电咨询。"

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    结型场效应管

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9&Omeg...

  • 品牌/商标:

    AEI英国联合电子

  • 型号/规格:

    IRF540N

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    HI-REL/高*性

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

〖购买须知〗 宝贝标题*是一个链接,如需购买,请先跟卖家确认后再拍!(Price is only the title of a connection, if necessary, please speak with the seller for actual price and...

  • 品牌/商标:

    PHI IR ST SEC

  • 型号/规格:

    FS22SM-10

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

我司长期提供质优价廉的场效应管和各种二*管产品,场效应管,型号*。供货及时,*质量!诚邀各地厂家商家强强合作,共谋市场发展!!

  • 品牌:

    SAM韩国三星

  • 型号:

    IRFZ24

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

DATA SHEETProduct specificationSupersedes data of 1997 Apr 171999 Apr 12DISCRETE SEMICONDU*OR*C856; BC857PNP general purpose transistorsbook, halfpageM3D088123

  • 品牌/商标:

    自主

  • 型号/规格:

    多种

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

本公司主营电容;二.三*管;IC集成电路(SMD);场效应管;电阻;排容;排阻;可调电阻;可调电容;三端稳压;整流器件等等产品,欢迎选购! 鹏之翔电子有限公司成立于1992年,是一家以生产、销...

  • 品牌/商标:

    Sanyo/三洋

  • 型号/规格:

    2SJ277

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

东莞*旺电子代理*童FAIRCHILD、IR、UTC、AUK、英飞凌Infineon、意法半导体ST等品牌的场效应管MOS管,是UTC、NEC的*授权代理商,12年专注成就今日,代理众多国内外品牌产品线供您选择...

  • 品牌/商标:

    MOT美国摩托罗拉

  • 型号/规格:

    IRF450

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

IRF450 场效应管"

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    B772

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标:

    SK/台湾时科

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

销售品牌电子元器件 I.R / LRC / MICROCHIP / FA*HILD *童 / SK 等!欢迎来电咨询洽谈!东莞市豪登电子科技有限公司,可*!: /99 吴先生!销售品牌电子元器件 I.R / LRC / MICROCHIP...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQPF12N60C

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

型号:FPQF12N60C 封装:TO-220F厂家:FSC 备注:新货主营:场效应、可控硅、肖特基、快恢复,二三*管、电源管理IC及偏冷停产IC元件等.IR公司(国际整流器),FAIRCHILD(飞兆),INFINEON(...

  • 品牌/商标:

    IPS/华润芯

  • 型号/规格:

    FSR04N65A

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

東莞市星濤電子有限公司是國內一家集代理商、銷售、服務為一體的公司,公司主要從事電阻器、電容器、二三極管、場效應管、集成電路等配套服務。面對日趨激烈的市場競爭,優勝劣汰,公...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    1N60,2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,7N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

我司代理分销系列ROHS场效应管.司司理管效S"

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    BSS138 SOT23

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    科信

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

特点: (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;

  • 品牌:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号:

    2SK241Y

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

*现货供应MOS管2SK241Y公司介绍 创立于2005年的东莞市讯微电子有限公司,自创立始就面向电子产品生产工厂提供配套电子元件的销售、服务,帮助企业解决技术层面问题,取得国内外电子器...

    供应库存原装IRF820场效应管。详细型号和价格欢迎来电咨询:,,商务

    • 品牌/商标:

      ST/意法

    • 型号/规格:

      STP9NC65FP

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    型号:STP9NC65FP 封装:to-220F厂家:ST 参数:650V 8A 备注:量大价好,原装*管。长备现货主营:场效应、可控硅、肖特基、快恢复,二三*管、电源管理IC及偏冷停产IC元件等.IR公司(...

      品牌/商标 东光 型号/规格 DG 1N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 2-4(V) 跨导 0.9(μS) *间电容 120(pF) 低频噪声系数 0.1(dB) 漏*电流 1000(mA) 耗散功率 4000(mW)

        品牌/商标 Fairchild 型号/规格 FDN337N SOT-23 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 5(V) 夹断电压 2(V) 低频跨导 10(μS) *间电容 1(pF) 低频噪声系数 20(dB) 漏*电流 2(mA) 耗散功率 3(mW) 技术/目录信息FDN337N销售商Fai...

          品牌:IR 型号:供应场效应管 IRFP360 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型 用途:UNI/一般用途 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:-(V) 夹断电压:-(V) 低频跨导:-(μS) *间电容:-(pF) 低频噪声系数:-(dB) 漏*电流:-(mA) 耗散功率:-(mW)供应场效应管 IRFP360东...

            代理热卖 5N50/830 TO-252 请有需要的厂家*联系杨S3 深圳市润明贸易有限公司是一家的MOSFET代理商,成立于2006年。主要致力于电源类MOSFET及芯片的推广及应用,代理及分销品牌有TRU*EMI、KIA、STANSON,产品包括:PFC、SR、PWM、MOSFET。行业涉及:开关电源、消费数码、电脑及周边、通讯等领域。在保障*产品的前提下,降低...

            • 杨磊
            • 供应商等级: 免费会员
            • 企业类型:经销商
            • 地区:广东东莞
            • 电话:0769-88620332

            结型场效应管行业资讯

            • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

              结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

            • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

              结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

            什么是结型场效应管?

            •   在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区),就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。
            • 结型场效应管

            结型场效应管技术资料

            • 结型场效应管的主要参数[2024-06-18]

              1.夹断电压UP  在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。  2.饱和漏极电流/oss  在栅—源极...

            • FET知识:采用结型FET实现的放大电路经典案例[2024-05-06]

              结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例:  结型FET源极接地放大电路  电路结构:  该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

            • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

              为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。  u下面通过栅-源电压uc和...

            • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

              1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...

            • 结型场效应管(JFET)的主要参数[2010-06-10]

              (1). 夹断电压VP  当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。  (2). 饱和漏极电流IDSS  在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。  (3). 直流输入电阻RGS  它是在漏-...

            电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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