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结型场效应管

(共找到“51”条查询结果)
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东莞
源头工厂
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  • 型号/规格:

    VN2410

  • 品牌/商标:

    VISHAY

  • 封装形式:

    P-DIT/塑料双列直插

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

品牌:VISHAY 型号:VN2410 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:60(V) 夹断电压:6...

  • 品牌/商标:

    STANSON

  • 型号/规格:

    ST2306SRG

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

東莞市星濤電子有限公是國內一家集代理商、銷售、服務為一體的公司,公司主要從事電阻器、電容器、二三極管、場效應管、集成電路等配套服務。面對日趨激烈的市場競爭,優勝劣汰,公司...

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    AUK全系列

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    HEMT高电子迁移率

群航代理韩国AUK贴片、直插三*管,备有大量库存现货,原装*。请登录乐拓公司网站:http://www.dggwdz.com/ 查询,或者来电咨询。"

  • 型号/规格:

    FS2N60

  • 品牌/商标:

    *凯

  • 封装形式:

    塑封

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    *率

Faircard从Fairchild半导体分离出来,技术与Fairchild同源,是一家专注于高压MOSFET的生产厂家。本公司所销售产品均为原装无铅,以*消费者的权益。现主推产品:1N60,2N60,4N60,5N6...

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    SI2300

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 沟道类型:

    频道、频道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

SMD二三*管的产品封:SOT-23、SOT-25、SOT-26、SOT-89、SOT-223、SOP、SSOP, TO-92,TO-220系列中端产品优势基础上,重点向高端封装QFN、QFP、LQFP、BGA、CSP等发展。公司采用标准化...

  • 品牌/商标:

    ON/安森美

  • 型号/规格:

    LM317

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 材料:

    M*金属半导体

东莞*旺电子有限公司代理*童FAIRCHILD、IR、意法半导体ST、友顺UTC、安森美ON、英飞凌Infineon、威世VISHAY等品牌的场效应管(MOS管),是UTC、NEC的*授权代理商,12年专注成就今日,代...

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    结型场效应管

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9&Omeg...

    东莞市骏泰包装材料有限公司是一家生产IC包装管和吸塑盒的厂商。IC管主要用在各种*件之包装,如:连接器、LED数码管、大功率等;吸塑用途相当广泛,如食品、玩具、电子之外包装等。我司竭诚为广大客商服务!

    • 品牌/商标:

      AEI英国联合电子

    • 型号/规格:

      IRF540N

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      HI-REL/高*性

    • 封装外形:

      CHIP/小型片状

    • 材料:

      ALGaAS铝镓砷

    〖购买须知〗 宝贝标题*是一个链接,如需购买,请先跟卖家确认后再拍!(Price is only the title of a connection, if necessary, please speak with the seller for actual price and...

    • 品牌/商标:

      AEL英德半导体器件

    • 型号/规格:

      IRF系列   FDN、FDV系列  2SK、2SJ系列 APM系列 RD系列 RA系列

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      P沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    东莞市信纳电子有限公司是一家集研制、开发、生产及销售为一体的电子元器件生产、配套企业。主要生产经营SMD全系列电子元件:贴片电阻、贴片电容、贴片电解电容、贴片二*管、贴片三*...

    • 品牌/商标:

      PHI IR ST SEC

    • 型号/规格:

      FS22SM-10

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      A/宽频带放大

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      ALGaAS铝镓砷

    我司长期提供质优价廉的场效应管和各种二*管产品,场效应管,型号*。供货及时,*质量!诚邀各地厂家商家强强合作,共谋市场发展!!

    • 品牌/商标:

      场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307

    • 型号/规格:

      场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      DC/直流

    • 封装外形:

      CHIP/小型片状

    • 材料:

      GE-N-FET锗N沟道

    香港长旺集团有限公司代理*童FAIRCHILD、IR、UTC、英飞凌Infineon、意法半导体ST等品牌的场效应管MOS管、三*管,是UTC、IR的*授权代理商,12年专注成就今日,代理众多国内外品牌产品...

    • 品牌:

      SAM韩国三星

    • 型号:

      IRFZ24

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      P沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      CC/恒流

    • 封装外形:

      CHIP/小型片状

    • 材料:

      ALGaAS铝镓砷

    DATA SHEETProduct specificationSupersedes data of 1997 Apr 171999 Apr 12DISCRETE SEMICONDU*OR*C856; BC857PNP general purpose transistorsbook, halfpageM3D088123

    • 品牌/商标:

      美格纳

    • 型号/规格:

      1n60

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    Magnachip產品線涵蓋了全系列產,包括:Low Voltage MOSFET(20v.30v .40v. 60v.100v.single N.single P.DualN+N.Dual N+P);High Voltage MOSFET (400v . 500v.600v…...

    • 品牌/商标:

      HXW

    • 型号/规格:

      GT4303

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      P沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      P-FET硅P沟道

    "

    • 品牌/商标:

      自主

    • 型号/规格:

      多种

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      A/宽频带放大

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      GE-P-FET锗P沟道

    本公司主营电容;二.三*管;IC集成电路(SMD);场效应管;电阻;排容;排阻;可调电阻;可调电容;三端稳压;整流器件等等产品,欢迎选购! 鹏之翔电子有限公司成立于1992年,是一家以生产、销...

    • 品牌/商标:

      Sanyo/三洋

    • 型号/规格:

      2SJ277

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    东莞*旺电子代理*童FAIRCHILD、IR、UTC、AUK、英飞凌Infineon、意法半导体ST等品牌的场效应管MOS管,是UTC、NEC的*授权代理商,12年专注成就今日,代理众多国内外品牌产品线供您选择...

    • 品牌:

      FAIRCHILD/*童

    • 型号:

      IRF5305STRLPBF

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      HF/高频(射频)放大

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      ALGaAS铝镓砷

    产品详情:标准包装:800类别:分离式半导体产品家庭:MOSFET - 单系列:HEXFET?FET型 MOSFET P-Channel,Metal OxideFET特点:标准型开态Rds()@ Id,Vgs @ 25°C 60 毫...

    • 品牌/商标:

      MIC

    • 型号/规格:

      SS12

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      P沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      SIT静电感应

    贴片二*管SS12(SOD-123),为原装,MIC品牌。此产品应用广泛,适应在所以电子产品上。

    • 品牌/商标:

      MOT美国摩托罗拉

    • 型号/规格:

      IRF450

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    IRF450 场效应管"

    结型场效应管行业资讯

    • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

      结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

    • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

      结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

    什么是结型场效应管?

    •   在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区),就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。
    • 结型场效应管

    结型场效应管技术资料

    • 结型场效应管的主要参数[2024-06-18]

      1.夹断电压UP  在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。  2.饱和漏极电流/oss  在栅—源极...

    • FET知识:采用结型FET实现的放大电路经典案例[2024-05-06]

      结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例:  结型FET源极接地放大电路  电路结构:  该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

    • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

      为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。  u下面通过栅-源电压uc和...

    • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

      1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...

    • 结型场效应管(JFET)的主要参数[2010-06-10]

      (1). 夹断电压VP  当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。  (2). 饱和漏极电流IDSS  在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。  (3). 直流输入电阻RGS  它是在漏-...

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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