P-DIT/塑料双列直插
2SK117GR
A/宽频带放大
TOSHIBA/东芝
N沟道
结型(JFET)
增强型
1.低噪声高灵敏音频放大2.电源开关3.仪器仪表
手机：
Directed美国
3842
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MIX/混频
SMD(SO)/表面封装
M*金属半导体
本公司诚接配套业务经营范围如下：配套电动车冲电器、控制器、开关电源等全套元器件。质量*，价格优惠。*： : 何先生,陈 【运费说明】★方案1：顺丰快递【国内速度*快、服务】资费说...
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国产
BUZ11
结型(JFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
特征：•30A，50V•RDS(0N)=0.04Ω•SOA is Power Dissipation Limited•Nanosecond Switching Speeds•...
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NEC/日本电气
2SK4145B,K4145B
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
逆变器，控制器
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4...
手机：
NCE
NCE20N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
产品特征：卓越的功率转换效率 *低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻（Ron*A） *低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于*低的FOM（Ron*Qg) 卓越的Eas能力（100%Eas测试） 产品应用：...
手机：
供应IR，部分产品信息：IRGP4063D IRGP50B60PD1 IRGP35B60PD IRG4PC50UD IRG4PH50UD IRG4PC50WIRG4P*0UD IRG4P*0W IRFPS43N50K IRFP31N50L IRG4PH40UD2-EPIRG4PF50WD IRG4PSC71UDIRFP150M IRFP150N150EBU04IRFP360 IRFP460 IRFP064NIRF3205 IRFR5305 IRF1010E IRF3710 IRF840 IRF740IRFZ24N IRF9Z34N IRF540N IRFZ48N IR215...
电话：86 0510 85290742
品牌：SR型号：1-100A/50-600V种类：*缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：DC/直流封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道生产厂家,采用*和国内品牌生产商芯片,全自动生产线,产品*,通过质量管理体系和*,期待与您合作!"
电话：86 0510 83330185
品牌：YR型号：12N06种类：*缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型材料：N-FET硅N沟道 无锡亚伦科技有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园，毗邻太湖、紧靠环太湖*公路、沪宁*，距离南京、上海、杭州各200多公里，距苏州、常州三十多公里。公司生产面积12000多M² ，公司现有生产人员109名...
电话：86 510 68937001
手机：13951562276
品牌：ST/意法型号：STP140NF75种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型用途：A/宽频带放大封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：4（V） 夹断电压：75（V） 供应场效应管STP140NF75，140NF75,供应场效应管STP140NF75，140NF75,供应场效应管STP140NF75，140NF75,供应场效应管STP140NF75，140NF...
电话：86 0510 82799953
HFP8N60
SEMIHOW
塑料封装
无铅*型
直插
*率
盒带编带包装
HFP8N60 TO-220封装VDS:值 600V 电流值:8A 电阻值:0.4欧姆 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 可替换 *童的FQP8N60.欢迎来电咨询!
电话：0510-82607151
手机：13812005511
品牌/商标 semihow 型号/规格 5N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 GE-N-FET锗N沟道 semihow场效应管(MOSFET)：1N60、2N60、4N60、5N60、6N60、7N60、8N60、9N60、10N60、12N60、50N06、IRF630、IRF730、IRF830、IRF840、7N80、3N80、9N90、11N90、...
电话：0510-66811569
·东方半导体建于1990年，是业内的功率晶体管制造商·经营宗旨：以质量求发展，*满足客户的需求·厂房面积7000平方米·现有员工250人，其中工程技术人员100多人·日产各类晶体管300,000只/天·年销售各类晶体管100,000,000只&...
电话：0510-83880883
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例： 结型FET源极接地放大电路 电路结构： 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...
（1）. 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 （2）. 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。 （3）. 直流输入电阻RGS 它是在漏-...
