Alpha/阿尔法
AO3401/AO3401A
结型(JFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商；至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴；是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一；自公司...
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PHILIPS/飞利浦
BLF278
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
D-G双栅四*
LLCC/无引线陶瓷片载
GaAS-FET砷化镓
锦美电子代理飞利浦半导体器件，批量供应以下型号：CATV模块:BGD704 BGD712 BGD714 BGD804 BGD812 BGD814 BGD816L BGE67BO BGE787B BGE788 BGE847B0/FCO BGE847BO/SCO CGD914 CGD923 ...
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施耐德
10
普通型
直插式
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*功率
福州京驰自动化设备有限公司是一家集工业自动化系统集成，自动化产品代理销售为一体的高新技术企业。公司以国际*的自动化产品为依托，以雄厚的技术力量为基础，同时拥有一批在工业自...
电话：0591-63121189
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品牌：PJ/普罗强生型号：2N60种类：*缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：S/开关开启电压：2.0-4.0（V） 低频跨导：2.45（μS） *间电容：350（pF） 漏*电流：100（mA） 耗散功率：64（mW） 特点：导通电阻低、开关速度快、输入阻*高 *合RoHS规范应用：电子镇流器 电子变压器 开关电源
电话：0597-6818887
品牌： MICRONE(南京微盟）；型号： MEM2311SG封装： SOP-8产品介绍： 完*全*替代市场上良莠不齐的4953，性能十分稳定，采用大芯片封装，目前已由多家大型显示屏客户*并大量投入生产使用，未曾出现任何品质问题，我们不是廉价产品，但我们是性价比的产品！品质敢做200%*！欢迎来电来函询洽索样！热卖专线： 我们将竭诚为您...
电话：0592-5530385
品牌：BGS型号：BF730种类：*缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：V-FET/V型槽MOS封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：2-4（V） 夹断电压：430（V） 跨导：4.5S（μS） *间电容：1（pF） 低频噪声系数：1（dB） 漏*电流：6A（mA） 耗散功率：75W（mW） 规格型号ID(A)PW(W)25...
电话：0591-83891801
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例： 结型FET源极接地放大电路 电路结构： 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...
（1）. 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 （2）. 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。 （3）. 直流输入电阻RGS 它是在漏-...
