IXGN400N30A3
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72826M-50u亚银PET
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结型(JFET)
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P-DIT/塑料双列直插
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A/宽频带放大
TOSHIBA/东芝
N沟道
结型(JFET)
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1.低噪声高灵敏音频放大2.电源开关3.仪器仪表
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Hitachi/日立
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结型(JFET)
N沟道
增强型
HF/高频(射频)放大
SMD(SO)/表面封装
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Directed美国
3842
结型(JFET)
N沟道
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SMD(SO)/表面封装
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本公司诚接配套业务经营范围如下:配套电动车冲电器、控制器、开关电源等全套元器件。质量*,价格优惠。*: : 何先生,陈 【运费说明】★方案1:顺丰快递【国内速度*快、服务】资费说...
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IR/国际整流器
IRF630
结型(JFET)
N沟道
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N沟道场效应;200V 9A 75W 50/40ns Ron=0.4Ωmos场效应开关/功率放大
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国产,*
多型号
结型(JFET)
P沟道
增强型
A/宽频带放大
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏*-源*间流经沟道的ID,用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道...
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国产
BUZ11
结型(JFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
特征:•30A,50V•RDS(0N)=0.04Ω•SOA is Power Dissipation Limited•Nanosecond Switching Speeds•...
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IR/国际整流器
IRFP90N20DPBF,IRFP90N20D
TO-247
结型(JFET)
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IRFP90N20D:200V,23mO,94A,580W(V)
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诚桩电子--供应原装 IR(国际整流器公司)、ON(安森美)、Fairchild(*童)、ST 系列:场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二*管,肖特基二*管,SMD元件!"
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NEC/日本电气
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SMD(SO)/表面封装
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N-FET硅N沟道
D/变频换流
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*缘栅(MOSFET)
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V-FET/V型槽MOS
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产品特征:卓越的功率转换效率 *低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻(Ron*A) *低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于*低的FOM(Ron*Qg) 卓越的Eas能力(100%Eas测试) 产品应用:...
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STW20NK50Z
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IR/国际整流器
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IR/国际整流器
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结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...
(1). 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。 (2). 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。 (3). 直流输入电阻RGS 它是在漏-...