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结型场效应管

(共找到“29”条查询结果)
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江苏
源头工厂
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  • 型号/规格:

    IXGN400N30A3

  • 品牌/商标:

    艾赛斯

  • 封装形式:

    模块

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    小功率

IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容 可控硅-快速系列,交期快,货源稳,品质保证 代理经销以下品牌功率半导体器件 1:日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。 2:德国...

  • 型号/规格:

    BTS7008-1EPP

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    PG-TSDSO-14

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

概述 潜在应用•适用于驱动11 A电阻、电感和电容负载•替代机电继电器、保险丝和分立电路•适用于驱动电热塞、热负载、直流电机和配电. 基本功能&#82...

  • 品牌/商标:

    72826M-50u亚银PET

  • 型号/规格:

    72826M-50u亚银PET

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 耗散功率:

    700(mW)

供应**FASSON72826M-50u亚银PET标签,质量稳定,面向*!苏州艾利(FASSON)系列标签销售有限公司,欢迎你![]公司,是地区具有性标签印刷模切企业,公司拥有日本轮转式SERI*-50、ORTHOT*-28...

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    2SK117GR

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

1.低噪声高灵敏音频放大2.电源开关3.仪器仪表

  • 品牌/商标:

    Hitachi/日立

  • 型号/规格:

    K1518

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

查看**产品»

  • 品牌/商标:

    Directed美国

  • 型号/规格:

    3842

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MIX/混频

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    M*金属半导体

本公司诚接配套业务经营范围如下:配套电动车冲电器、控制器、开关电源等全套元器件。质量*,价格优惠。*: : 何先生,陈 【运费说明】★方案1:顺丰快递【国内速度*快、服务】资费说...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF630

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

N沟道场效应;200V 9A 75W 50/40ns Ron=0.4Ωmos场效应开关/功率放大

  • 品牌/商标:

    国产,*

  • 型号/规格:

    多型号

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

场效应管工作原理用一句话说,就是“漏*-源*间流经沟道的ID,用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道...

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    BUZ11

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

特征:•30A,50V•RDS(0N)=0.04Ω•SOA is Power Dissipation Limited•Nanosecond Switching Speeds•...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFP90N20DPBF,IRFP90N20D

  • 封装形式:

    TO-247

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 夹断电压:

    IRFP90N20D:200V,23mO,94A,580W(V)

  • 营销方式:

    现货

诚桩电子--供应原装 IR(国际整流器公司)、ON(安森美)、Fairchild(*童)、ST 系列:场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二*管,肖特基二*管,SMD元件!"

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    2SK4145B,K4145B

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    逆变器,控制器

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4...

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    50N06(TO-252)

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    D/变频换流

  • 品牌/商标:

    TIANRUI

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

我公司生产各三*管,场效应管,可控硅,三端稳压管,肖特基二*管,快恢复二*管,公司通过ISO9001,质量稳定,价格合理,欢迎来电知询"

  • 品牌/商标:

    NCE

  • 型号/规格:

    NCE20N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

产品特征:卓越的功率转换效率 *低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻(Ron*A) *低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于*低的FOM(Ron*Qg) 卓越的Eas能力(100%Eas测试) 产品应用:...

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STW20NK50Z

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流:

    2000

ST公司*, 500V/20A/TO-247封装, 意法半导体是世界第五大半导体公司,2009年净收入85.1亿美元,以业内*广泛的产品组合著称,凭借多元化的技术、的设计能力、知识产权组合、合作伙伴战...

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    8N80

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    飞虹

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

韩国飞虹MOS 全系列 高端品质 *出售。 "

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    供应逆变器场效应管IRFP064NPBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    C-MIC/电容话筒*

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

生产电容和电阻代理经销 二三*管 场效应管 集成电路 IGBT ST SANYO FSC TOS IR NXP 等一系列*元件

  • 品牌:

    IR/国际整流器

  • 型号:

    IRFB3207PBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

深圳市鼎盛科技有限公司位于中国深圳市华强北,是一家电子元器件、二三*管等产品的经销批发的私营独资企业。诚信为本,质量,真心服务,诚实交易!是我们公司坚持不懈的宗旨。公司主要代...

    供应IR,部分产品信息:IRGP4063D IRGP50B60PD1 IRGP35B60PD IRG4PC50UD IRG4PH50UD IRG4PC50WIRG4P*0UD IRG4P*0W IRFPS43N50K IRFP31N50L IRG4PH40UD2-EPIRG4PF50WD IRG4PSC71UDIRFP150M IRFP150N150EBU04IRFP360 IRFP460 IRFP064NIRF3205 IRFR5305 IRF1010E IRF3710 IRF840 IRF740IRFZ24N IRF9Z34N IRF540N IRFZ48N IR215...

      品牌:NS/国半型号:10N60种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:GE-N-FET锗N沟道代理各种品牌MOS,详细规格请来电查询 600V 1N60R*:0.9 2N60R*: 0.98 2N60TO-220 R*:1.05 4N60TO-220 R*:1.30 7N60TO-220 R*:1.98 10N60 TO-220 R*:2.95 900V 6N90TO-220 R*:3.85

        品牌:SR型号:1-100A/50-600V种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:DC/直流封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道生产厂家,采用*和国内品牌生产商芯片,全自动生产线,产品*,通过质量管理体系和*,期待与您合作!"

        结型场效应管行业资讯

        • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

          结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

        • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

          结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

        什么是结型场效应管?

        •   在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区),就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。
        • 结型场效应管

        结型场效应管技术资料

        • 结型场效应管的主要参数[2024-06-18]

          1.夹断电压UP  在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。  2.饱和漏极电流/oss  在栅—源极...

        • FET知识:采用结型FET实现的放大电路经典案例[2024-05-06]

          结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例:  结型FET源极接地放大电路  电路结构:  该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

        • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

          为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。  u下面通过栅-源电压uc和...

        • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

          1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...

        • 结型场效应管(JFET)的主要参数[2010-06-10]

          (1). 夹断电压VP  当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。  (2). 饱和漏极电流IDSS  在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。  (3). 直流输入电阻RGS  它是在漏-...

        电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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