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结型场效应管

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： IGBT单管 IGBT管 n沟道结型场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
山东
源头工厂
松下磁控管（2M167B-M11、2M210)(图)
松下磁控管（2M167B-M11、2M210)(图)

    品牌：Panasonic/松下型号：2M167B-M11、2M210种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：MW/微波封装外形：CHIP/小型片状材料：ALGaAS铝镓砷开启电压：0（V） 夹断电压：0（V） 跨导：0（μS） *间电容：0（pF） 低频噪声系数：0（dB） 漏*电流：0（mA） 耗散功率：0（mW） 济南康来微波设备有限公...

    松下磁控管（2M167B-M11、2M210)(图)
    松下磁控管（2M167B-M11、2M210)(图)
    • 品牌：

      Panasonic/松下

    • 型号：

      2M167B-M11、2M210

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      MW/微波

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      ALGaAS铝镓砷

    济南康来微波设备有限公司大量供应工业微波设波配件：松下系列磁控管（2M167B-M11 、2M210M1…..）各种型号工业微波变压器、高压硅堆（二*管）、高压电容、微波设备*输...

    大力场效应管IRF3205.IRF3710.IRFZ46.1010
    大力场效应管IRF3205.IRF3710.IRFZ46.1010
    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 型号/规格：

      15421

    • 材料：

      GaAS-FET砷化镓

    • 用途：

      MOS-FBM/全桥组件

    • 品牌/商标：

      ADV美国*半导体

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 导电方式：

      增强型

    大量供应场效应管联系电话..2808123"

    可控硅 G50C60 BTA50C60 G35C60 G25C60 IGBT
    可控硅 G50C60 BTA50C60 G35C60 G25C60 IGBT
    • 品牌/商标：

      ST/意法

    • 型号/规格：

      G35C60 G50C60

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      HG/高跨导

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      M*金属半导体

    我公司长期供应可控硅，价 、代理、销售、世界各名厂商集成电路及半导体元器件 SMD/DIP集成电路 场效应管 IGBT模块 二三*管 三端稳压器 肖特基模块 快恢复模块 可控硅模块 *电位器 35...

    100%场效应管现货，13N80。优势。
    100%场效应管现货，13N80。优势。
    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格：

      13N80

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形：

      WAFER/裸芯片

    • 材料：

      ALGaAS铝镓砷

    关于商品…………………………&a...

    大量西门子IGBT 6SY7000-0AD50
    大量西门子IGBT 6SY7000-0AD50
    • 品牌/商标：

      SIE德国西门子AG

    • 型号/规格：

      6SY7000-0AD50

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      A/宽频带放大

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      M*金属半导体

    大量供应西门子IGBT 6SY7000-0AD50有意者欢迎询价，青岛瑞泰尔电子技术有限公司

    控制器芯片CSP75N80M代替SSF7509/NE*145/NCP75N80
    控制器芯片CSP75N80M代替SSF7509/NE*145/NCP75N80
    • 品牌/商标：

      CUMSUMI

    • 型号/规格：

      CSP75N80M

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      MOS-INM/*组件

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      GaAS-FET砷化镓

    供应CSP75N80M美斯捷电子商行成立于2000年，我公司是电子元器件厂家指定代理商和电子元件批发商，我们以产品的品种多,质量好,价格低,电子元器件性配套完善闻名于*，公司追求*和周到的...

    电动车充电器用场效应管 MOS管 TSP8N60 韩国信安
    电动车充电器用场效应管 MOS管 TSP8N60 韩国信安
    • 品牌/商标：

      Truesemi

    • 型号/规格：

      TSP8N60

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      MIX/混频

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      ALGaAS铝镓砷

    供应场效应管TSP8N60我司是代理韩国信安TRU*EMI品牌的全系列MOS管，现有大量现货：TSF2N60 TSF5N60 TSD2N60 TSD5N50 TSF8N60 TSF10N60 TSF3N80 TSA10N80 TSA9N90 TSA20N50 TSP5N60 TS...

    IRFP450LC结型场效应管N沟道
    IRFP450LC结型场效应管N沟道

      品牌/商标 IR 型号/规格 IRFP450LC 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 GEP/互补类型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 500（V） 夹断电压 500（V） *间电容 详细咨询（pF） 低频噪声系数 详细咨询（dB） 漏*电流 16（mA） 耗散功率 16（mW）

      结型场效应管行业资讯

      • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

        结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压

      • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

        结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压

      什么是结型场效应管?

      • 　　在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区)，就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道，称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。

      • 目录

        结型场效应管

      结型场效应管技术资料

      • 结型场效应管的主要参数[2024-06-18]

        1.夹断电压UP　　在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。　　2.饱和漏极电流/oss　　在栅—源极...

      • FET知识：采用结型FET实现的放大电路经典案例[2024-05-06]

        结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例：　　结型FET源极接地放大电路　　电路结构：　　该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

      • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

        为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。　　u下面通过栅-源电压uc和...

      • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

        1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...

      • 结型场效应管（JFET）的主要参数[2010-06-10]

        （1）. 夹断电压VP　　当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。　　（2）. 饱和漏极电流IDSS　　在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。　　（3）. 直流输入电阻RGS　　它是在漏-...

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