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结型场效应管

（共找到“17”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： IGBT单管 IGBT管 n沟道结型场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
北京
源头工厂
富士（FUJI）IGBT模块1MBI400S-120
富士（FUJI）IGBT模块1MBI400S-120
  • 型号/规格：

    1MBI400S-120

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 封装形式：

    模块

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    中功率

产品信息(PRODUCT INFOMATION)： 品牌(BRAND)： 富士（FUJI） 规格(STANDARD)：400A/1200V/IGBT/1U ，详见pdf资料 货品状况：全新 (100% NEW) 质保(WARRANTY)：45天(45 DAYS) 批号(D/...

VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL640SPBF - 场效应管 MOSFET N D2-PAK 200V 17A
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL640SPBF - 场效应管 MOSFET N D2-PAK 200V 17A
  • 型号/规格：

    IRL640SPBF

  • 品牌/商标：

    VISHAY

  • 封装形式：

    D2-PAK

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    表面安装

  • 包装方式：

    标准包装

场效应管 MOSFET N D2-PAK 200V 17A 晶体管极性: ñ频道 电流, Id 连续: 17A 电压, Vds : 200V 在电阻RDS（上）: 180mohm 电压 @ Rds测量: 5V 阈值电压, Vgs th 典型值...

代理德国IXYS快恢复二极管DSEI2X101-06A模块现货直销
代理德国IXYS快恢复二极管DSEI2X101-06A模块现货直销
  • 型号/规格：

    DSEI2X101-06A

  • 品牌/商标：

    IXYS

  • 封装形式：

    标准封装

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    超大功率

DSEI2X101-12A DSEI8-06A DSEI12-06A DSEI30-06A DSEI60-06A DSEI2X31-06C DSEI2X61-06C DSEI2X101-06A DSEI12-10A DSEI30-10A DSEI60-10A DSEI2X61-10B DSEI2X31-10B DSEI30-12A DSE...

HRD12003E模块
HRD12003E模块
  • 型号/规格：

    HRD12003E

  • 品牌/商标：

    新电源

  • 封装形式：

    DIP-9

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

欢迎咨询: ： 李，郭，：010－，传真FAX：010－北京市海淀区中关村东路18号财智国际大厦C-1901室 Http：//www.bjcxyic.com E-mail:

  • 深圳华翼电子商行
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:北京北京市

    • 电话：0755-85287935

    手机：13723400582

经营现货库存IRFP460PBF*销售
经营现货库存IRFP460PBF*销售
  • 品牌：

    IR/国际整流器

  • 型号：

    IRFP460PBF

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

晶体管*性:N沟道漏*电流, Id 值:20A电压, Vds :500V开态电阻, Rds(on):0.27ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :20V功耗:280W???作温度范围:-55°C to +150°C封...

HAT2174H-EL-E
HAT2174H-EL-E
  • 品牌/商标：

    REN*AS/瑞萨

  • 型号/规格：

    HAT2174H-EL-E

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形：

    SP/*外形

HAT2174H-EL-E分类：MOSFET，GaNFET - 单品牌：Renesas ElectronicsMOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK

MJE15031G 大量现货 原装
MJE15031G 大量现货 原装
  • 型号/规格：

    MJE15031G

  • 品牌/商标：

    0N/安森美

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    增强型

南电公司成立于2002年,是一家专门从事电子元器件代理销售及相关技术支持的化公司.是国内外多家公司授权的北京地区代理商.主要致力于电源,电力,通讯,仪表,汽车及家电等行业元器件的推...

现货IKW20N60T原装英飞凌IGBT单管
现货IKW20N60T原装英飞凌IGBT单管
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    IKW20N60T

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

型号：IKW20N60T IKP20N60T20A 600V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒Tc = 25℃/100℃ Ic = 40A/20A；VCE（sat）= 1.50V；Tsc = 5us 特点： ☆工作结温可达Tjmax≤175℃ ☆内...

东芝JS8850A-AS
东芝JS8850A-AS
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    JS8850A-AS

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MW/微波

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

订货供应东芝原装*高频微波管20个起订。成交价格决定于采购数，订货周期12周。请联系 "

*童IGBT SGH80N60UFD 北京原装*现货
*童IGBT SGH80N60UFD 北京原装*现货
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    SGH80N60UFD

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

一、IGBTSGH80N60UFD主要技术参数• High speed switching• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A• High input impedance&a...

IR*原装驱动 IRMCK341TY IRMCK341T IRMCK341
IR*原装驱动 IRMCK341TY IRMCK341T IRMCK341
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    IRMCK341TY

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途：

    AM/调幅

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

北京*博*电子科技有限公司是一家经*相关部门批准注册的企业。北京*博*科技发展有限公司凭着良好的信用、优良的服务与多家企业建立了长期的合作关系。北京*博*科技发展有限公司热诚欢...

原装英飞凌IGBT单管IKW40N120T2
原装英飞凌IGBT单管IKW40N120T2

    品牌：INFINEON/英飞凌型号：IKW40N120T2种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：L/功率放大材料：N-FET硅N沟道型号：IKW40N120T2 40A 1200V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = 75A/40A；VCE（sat）= 1.70V； 特点： ☆工作结温可达Tjmax≤175℃ ☆正温被系数饱和压降易于并...

    HAT2174H-EL-E
    HAT2174H-EL-E

      HAT2174H-EL-E分类：MOSFET，GaNFET - 单品牌：Renesas ElectronicsMOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK

      TPM2828-9
      TPM2828-9

        订货供应东芝原装*微波管,可美金交易，可提供17%的增值税。交货期8-10周。详情请询-191黎女士

        低压 Optimos单管
        低压 Optimos单管
        • 型号/规格：

          低压 Optimos单管

        • 品牌/商标：

          Infineon

        • 封装形式：

          未知

        • *类别：

          无铅*型

        • 安装方式：

          贴片式

        • 包装方式：

          单件包装

        • 功率特征：

          *功率

        低压 Optimos单管供应 低压 Optimos单管

        贴片场效应管
        贴片场效应管
        • 型号/规格：

          TM3055-TL

        • 品牌/商标：

          SANYO

        • 封装形式：

          塑料封装

        • *类别：

          普通型

        • 安装方式：

          贴片

        • 功率特征：

          小功率

        • 包装方式：

          卷带编带包装

        TM3055-TL SANYO 03+ 原盘原装现货供应,11000PCS

        现货IRGP50B60PD1 特价
        现货IRGP50B60PD1 特价
        • 品牌/商标：

          IR/国际整流器

        • 型号/规格：

          IRGP50B60PD1

        • 种类：

          结型(JFET)

        • 沟道类型：

          N沟道

        • 导电方式：

          增强型

        • 用途：

          A/宽频带放大

        • 封装外形：

          P-DIT/塑料双列直插

        • 材料：

          ALGaAS铝镓砷

        制造商: INTERNATIONAL RECTIFIER 制造商编号: IRGP50B60PD1PBFRoHS协从产品:是描述晶体管类型:IGBT集电极直流电流:75A饱和电压, Vce sat :2.35V功耗:390W电压, Vceo:600V封装类型:TO...

        结型场效应管行业资讯

        • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

          结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压

        • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

          结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压

        什么是结型场效应管?

        • 　　在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区)，就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道，称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。

        • 目录

          结型场效应管

        结型场效应管技术资料

        • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

          为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。　　u下面通过栅-源电压uc和...

        • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

          1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...

        • 结型场效应管（JFET）的主要参数[2010-06-10]

          （1）. 夹断电压VP　　当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。　　（2）. 饱和漏极电流IDSS　　在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。　　（3）. 直流输入电阻RGS　　它是在漏-...

        • CS系列N沟道结型场效应管[2008-04-23]

          CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。　　CS系列结型场效应管主要特性参数

        • 3DJ系列N沟道结型场效应管[2008-04-23]

          3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。　　3DJ列场效应管主要特性参数

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