FRE*CALE/飞思卡尔
FDS4935A
结型(JFET)
P沟道
耗尽型
AM/调幅
SP/*外形
GE-P-FET锗P沟道
本产品可供样品支持配单，更多型号请咨询本公司注：【产品所标价匀为参考价，需要购买请联系销售客服，谢谢！】深圳市富乐亚科技电子有限公司经营电子元器件；是一家具有丰富经营经 ...
电话：0755-61309232
IR国际整流器件
IRF4905LPBF
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-TPBM/三相桥
IRF4905 TO-22 深圳市五洋电子有限公司供应原装IR（国际整流器公司）、ON（安森美）、Fairchild（*童）系列：场效应管MOSFET，IGBT，电源驱动IC，快恢复二*管，肖特基二*管，SMD元件...
电话：0755-82566070
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SJ106-Y 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 2SJ106-Y TOSHIBA P*结型MOS管 长期大量现货 *供应 欢迎垂询*件参数技术支持网址：http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/212913/TOSHIBA/2SJ106_07...
电话：0755-83013528
品牌/商标 其他 型号/规格 SI9424DY 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） *间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏*电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
电话：755-83260808
NXP/恩智浦
BSH103
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
标准
公司主要经营产品：开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、微波管、大小*率管等系列贴片二、三*...
电话：0755-29021052
品牌/商标 IR国际整流器 型号/规格 IRFP150,IRFP250,IRFP260,IRFP450,IRFP460 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 开关电源，逆变器，UPS电源，机箱电源，控制器，充电器 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 夹断电压 200（V） 深圳市亿隆半导体有限公司是一家电源元器件代理和分销商，成立...
电话：755-82539765
InternationaI
IRLM6402
结型(JFET)
P沟道
增强型
TUN/调谐
SMD(SO)/表面封装
GE-P-FET锗P沟道
深圳市铭科威电子科技有限公司是目前国内的电子元件供应商,代理、销售 片 状 电容 片状电阻 片状二三*管 片状钽电容 片状排阻 片 状 发光管 片状铝电解 片状电感 片 状 磁 珠主要品牌...
电话：0755-83959056
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 2N3055 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） *间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏*电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 深圳市裕昌和电子成立于2006年，是一家数码销售IC产品,配套公司，经营来自世界各地的产品,已...
电话：755-83294004
品牌:IR 型号:IRF1404 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:1404（V） 夹断电压:1404（V） 跨导:10（μS） *间电容:10（pF） 低频噪声系数:10（dB） 漏*电流:10（mA） 耗散功率:10（mW）IRF1404本公司现货供应各种品牌IC...
电话：755-88860838
FAIRCHILD
IRF634A
品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 IRF634A 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 无（V） 夹断电压 无（V） 低频跨导 无（μS） *间电容 无（pF） 低频噪声系数 无（dB） 漏*电流 无（mA） 耗散功率 无（mW）
电话：755-82513889
ETC美国电子晶体管
BT151U-650C
品牌/商标 ETC美国电子晶体管 型号/规格 BT151U-650C 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型
电话：0755-83983585
ROHM
RTQ035P02TR
品牌/商标 ROHM 型号/规格 RTQ035P02TR 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 TR/激励、驱动 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 在 3.5A、4.5V 时为 65 毫（V） 夹断电压 标准（V） *间电容 标准（pF） 低频噪声系数 标准（dB） 漏*电流 2V @ 1mA（mA） 耗散功率 .25W（mW）
电话：0755-82862581
25N120
ST
普通型
品牌 * 型号 25N120 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 .（V） 夹断电压 .（V） 低频跨导 .（μS） *间电容 .（pF） 低频噪声系数 .（dB） 漏*电流 .（mA） 耗散功率 .（mW）
电话：0755-61123145
FDS6690AS
FAIRCHILD
塑料封装
无铅*型
贴片
盒带编带包装
*原装现货供应 深圳现货:10000PCS 香港现货:120000PCS
电话：0755-25962328
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压
结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例： 结型FET源极接地放大电路 电路结构： 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...
（1）. 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 （2）. 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。 （3）. 直流输入电阻RGS 它是在漏-...
CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。 CS系列结型场效应管主要特性参数
