产品型号:2SK2424

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):450

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):8

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):35

*间电容Ciss(PF):1450 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：7.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~150

描述:450V,8A N沟道硅MOSFET 带二*管保护

应用:*功率开关,开关稳压器，DC -  DC转换器

特点
.低导通电阻
.*开关
.低驱动电流
.*次击穿

产品型号:2SK1606

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):450

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):8

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):50

*间电容Ciss(PF):1300 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):130

温度(℃): -55 ~150

描述:450V,8A Silicon N-Channel Power F-MOS FET

特点:
.高雪崩能量容量
.VGSS：30V*
.低RDS（ON）时，*开关特性

应用:
.*开关（开关电源）
.对于高频功率放大

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