P-DIT/塑料双列直插
TK9A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,7.5A,0.77Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
TOSHIBA/东芝
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
TK9A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,7.5A,0.77Ω
产品型号:TK9A45D
1. 应用
(1)开关稳压器
2. 特点
(1)低漏 - 源*导通电阻RDS(ON)=0.63Ω(t*.)
(2)高正向传输导纳:|YFS|=4.8 S(t*.)
(3)低漏电流IDSS= 10μA(*大值)(VDS =450 V)
(4)增强模式:VTH= 2.0--4.0 V(VDS= 10V,ID = 1 mA时)
封装:TO-220F
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):450
夹断电压VGS(V):&plu*n;30
*大漏*电流Id(A):9
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.77 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):800 t*.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):4.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):170
导通延迟时间Td(on)(ns):40 t*.
上升时间Tr(ns):20 t*.
关断延迟时间Td(off)(ns):60 t*.
下降时间Tf(ns):12 t*.
温度(℃): -55 ~150
描述:450V,9A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
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