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场效应管 TK9A45D,K9A45D

场效应管 TK9A45D,K9A45D
场效应管 TK9A45D,K9A45D
  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    TK9A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,7.5A,0.77Ω

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

TK9A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,7.5A,0.77Ω

产品型号:TK9A45D
1. 应用
(1)开关稳压器
2. 特点
(1)低漏 - 源*导通电阻RDS(ON)=0.63Ω(t*.)
(2)高正向传输导纳:|YFS|=4.8 S(t*.)
(3)低漏电流IDSS= 10μA(*大值)(VDS =450 V)
(4)增强模式:VTH= 2.0--4.0 V(VDS= 10V,ID = 1 mA时)

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):450

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):9

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.77 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):40

输入电容Ciss(PF):800 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):4.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):170

导通延迟时间Td(on)(ns):40 t*.

上升时间Tr(ns):20 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):60 t*.

下降时间Tf(ns):12 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:450V,9A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications


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联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83683996

联系人:钟丽华

QQ: QQ:2355799088

邮箱:2355799088@qq.com

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