功率场效应晶体管（VF）又称VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。即是在大功率范围应用的场效应晶体管，它也称作功率MOSFET，其优点表现在以下几个方面：
1. 具有较高的开关速度。
2. 具有较宽的安全工作区而不会产生热点，并且具有正的电阻温度系数，因此适合进行并联使用。
3. 具有较高的可靠性。
4. 具有较强的过载能力。短时过载能力通常额定值的4倍。
5. 具有较高的开启电压，即是阈值电压，可达2~6V(一般在1.5V~5V之间）。当环境噪声较高时，可以选 用阈值电压较高的管子，以提高抗干扰能力；反之，当噪声较低时，选用阈值电压较低的管子，以降低所需的输入驱动信号电压。给电路设计带来了极大地方便。
6. 由于它是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此其驱动功率很小，对驱动电路要求较低。
由于这些明显的优点，功率场效应晶体管在电机调速，开关电源等各种领域应用的非常广泛。

MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
900V N沟道 场效应管（MOSFET）:

2SK2482,MOS,900V,5A,4Ω,3P

2SK2850,MOS,900V,6A,2.5Ω,3P
2SK962-01，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，8A，2Ω
STW8NC90Z,ST,TO-247,DIP/MOS,N,900V,7.6A,1.38Ω
STW5NB90,ST,TO-247,DIP/MOS,N,900V,5.6A,2.5Ω
2SK2082-01，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，9A，1.4Ω
2SK2652-01，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5Ω
2SK2654-01，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，8A，2Ω
2SK2850-01，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5Ω
KHB9D0N90N1 TO-3P KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4Ω
FMH07N90G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，7A，2Ω
FMH09N90G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，9A，1.4Ω
FMH06N90G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5Ω
KHB9D0N90N1 TO-3P KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4Ω

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