品牌/商标 |
ON |
型号/规格 |
MUR1660*G |
种类 |
结型(JFET) |
沟道类型 |
P沟道 |
导电方式 |
增强型 |
用途 |
HF/高频(射频)放大 |
封装外形 |
WAFER/裸芯片 |
材料 |
GE-P-FET锗P沟道 |
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描述
- 二*管类型:*
- 电压, Vrrm:600V
- 电流, If 平均:16A
- 正向电压 Vf *大:1.5V
- 时间, trr *大:60ns
- 电流, Ifs *大:100A
- 封装形式:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- 器件标记:MUR1660*
- 封装类型:TO-220AB
- 时间, trr 典型值:60ns
- 正向电压, 于If:1.5V
- 正向电流 If:8A
- 电流, If*:100A
- 结温, Tj *高:175°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 二*管配置:双