| 品牌：TOSHIBA/东芝 | 型号：SSM6J51TU | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：P沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：HG/高跨导 |
| 封装外形：LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料：P-FET硅P沟道 | 开启电压：2.5（V） |
| 夹断电压：10（V） | 低频跨导：12（μS） | *间电容：210（pF） |
| 低频噪声系数：10（dB） | *大漏*电流：40（mA） | *大耗散功率：500（mW） |
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