| 品牌：FAIRCHILD/*童 | 型号：FDFS2P102 | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：P沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：D/变频换流 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：P-FET硅P沟道 | 开启电压：20（V） |
| 夹断电压：40（V） | 跨导：10（μS） | *间电容：275（pF） |
| 低频噪声系数：1（dB） | *大漏*电流：10（mA） | *大耗散功率：10（mW） |
P沟道晶体管和肖特基二*管的集成
General Description
The FDFS2P102 combines the exceptional performance of
Fairchild's high cell density
MOSFET with a very low forward
voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package.
This device is designed specifically as a single package solution
for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate
charge MOSFET with very low on-state resistance. The
independently connected Schottky diode allows its use in a variety
of DC/DC converter topologies.
Applications
• DC/DC converters
• Load Switch
• Motor Drives
•直流/直流转换器
•负荷开关
•电机驱动器
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