| 品牌：FAIRCHILD/*童 | 型号：FDM2509NZ | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：TR/激励、驱动 |
| 封装外形：CHIP/小型片状 | 材料：N-FET硅N沟道 | 开启电压：20（V） |
| 夹断电压：12（V） | 跨导：240（μS） | *间电容：12000（pF） |
| 低频噪声系数：100（dB） | *大漏*电流：18（mA） | *大耗散功率：22（mW） |
应用于锂电池
General Description
This dual N-Channel MOSFET has been designed
using Fairchild Semiconductor’s advanced Power
Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v on
special MicroFET lead frame with all the drains on one
side of the package.
Applications
• Li-Ion Battery Pack
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