| 品牌：AO | 型号：AO4422A | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：S/开关 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压：15（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：10（μS） | *间电容：1200（pF） |
| 低频噪声系数：100（dB） | *大漏*电流：45（mA） | *大耗散功率：100（mW） |
原装现货General Description
The AO4422A uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON)
and low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. The source leads are separated to allow
a Kelvin connection to the source, which may be
used to b** the source inductance. Standard
Product AO4422A is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO4422AL is a Green Product
ordering option. AO4422A and AO4422AL are
electrically identical.Features
VDS (V) = 30V
ID = 11A (VGS = 10V)
RDS(ON)
< 15m? (VGS = 10V)
RDS(ON) < 24m? (VGS = 4.5V)
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
