| 品牌：TRU*EMI | 型号：TSA20N50M | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：D/变频换流 |
| 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 | 材料：N-FET硅N沟道 | 开启电压：5（V） |
| 夹断电压：5（V） | 跨导：12（μS） | *间电容：400（pF） |
| 低频噪声系数：280（dB） | *大漏*电流：20（mA） | *大耗散功率：450（mW） |
| BVDSS | ID(DC) | PD | Rds(on) |
| 500 | 20 | 280 | 0.26 |
应用于\====充电器,开关电源
代替FAQ20N50C
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