近日，三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度。近两年3D NAND发展速度十分迅猛，2018年各大厂商的之间的堆叠大战一直在进行...
三星电子NAND Flash技术再升级，昨（9）日宣布研发出容量达1Tb（terabit）的3D NAND芯片，预计明年问世。 Pulse、ZDNet、韩联社报导，三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片(即...
在存储器芯片市场上，垂直堆叠结构的3DV-NANDFlash比重正迅速扩大，全球企业间的竞争也将渐趋激烈。据韩国MTNews报导，2016年前3DV-NAND市场规模预估将扩大10倍，而除目前独占市场的三星电子(SamsungElectronics
分类：行业趋势 时间：2015/4/30 阅读：12326 关键词：NAND
三星电子今天宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内3bitMLC3DV-NAND闪存。三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示：“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线，我们相信3bitV-NAND将会加快数据存储设备从传统硬盘向固
分类：名企新闻 时间：2014/10/9 阅读：656 关键词：NAND
