3D DRAM

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3D DRAM,将要到来

虽然闪存通过单片 3D 处理在容量方面取得了重大进展,但 DRAM 在实现类似的 3D 架构方面仍面临挑战。主要障碍是需要足够大的电荷存储方式,通常采用电容器的形式。  增加...

分类:业界动态 时间:2025/1/3 阅读:925 关键词:3D DRAM

3D DRAM第一步是什么?

闪存凭借 200 多层堆叠实现的单片 3D 处理技术,实现了惊人的容量飞跃,未来几代将达到 1,000 层。但同样重要的 DRAM 也实现了类似的可制造 3D 架构。事实证明,对足够大的...

分类:业界动态 时间:2024/12/19 阅读:377 关键词:3D DRAM

SK 海力士称其 3D DRAM 生产成本减半

DRAM IC 也需要使用 EUV 光刻技术。如今,三星和 SK 海力士在几层芯片上使用 EUV,成本高昂。据 The Elec 报道,SK 海力士的一位研究人员在一次行业会议上表示,为了大幅降...

分类:业界动态 时间:2024/8/19 阅读:261 关键词:SK 海力士DRAM

SK海力士在3D DRAM领域实现56%的良率

根据外媒报道,SK海力士正在加速其在通常被称为“梦想记忆”的尖端领域的领先地位,即三维(3D)DRAM。该公司凭借其高带宽内存 (HBM) 已经成为人工智能 (AI) 半导体市...

分类:名企新闻 时间:2024/6/28 阅读:507 关键词:SK海力士

SK海力士3D DRAM,重磅公布

SK海力士正在加速其在被称为“梦幻存储器”的三维(3D)DRAM这一尖端领域的领先地位。该公司已经凭借其高带宽存储器(HBM)在人工智能(AI)半导体市场中处于领先地位,现...

分类:名企新闻 时间:2024/6/25 阅读:573 关键词:SK海力士

三星电子、SK 海力士加速 3D DRAM 商业化

NEO Semiconductor今天宣布,将推出用于 3D X-DRAM 的性能提升浮体单元机制(Floating Body Cell Mechanism)。该公司创始人兼首席执行官 Andy Hsu 在 2024 年韩国首尔第 1...

分类:业界动态 时间:2024/5/14 阅读:393 关键词:三星SK DRAM

美光亏损23.12亿美元,DRAM和3D NAND需求急剧下降

美光2023财年第二季度 张贴 收入同比下降近53%,并表示由于对3D NAND和DRAM的需求仍然疲软,其收益将在当前季度进一步下降。该公司不得不减记价值数十亿美元的库存,并表示...

分类:名企新闻 时间:2023/3/31 阅读:993 关键词:美光DRAM3D NAND

三星电子、SK 海力士的 3D DRAM 商业化加速

三星电子和 SK 海力士——正在加速 3D DRAM 的商业化,据说这将改变内存行业的游戏规则。而在DRAM产业中排名第三的美光,自2019年就已经开始了3D DRAM的研究,获得的专利数...

分类:业界动态 时间:2023/3/13 阅读:336 关键词:三星电子SK 海力士

杀死NAND Flash,替代DRAM;3D Xpoint有这个能力吗?

在3D NAND Flash大行其道的21世纪,当Intel和美光在2015年首次介绍3D Xpoint的时候,市场掀起了轩然大波。据当时的介绍,3D Xpoint的会比NAND Flash快1000倍,且寿命也会比其长1000倍。   但实际上,这样的性能表现只能出现在PPT里。...

分类:业界动态 时间:2017/5/10 阅读:498 关键词:DRAMFlashNAND

DRAM迈入3D时代!

3DSuper-DRAM是什么?为何需要这种技术?就算3DNAND的每位成本与平面NAND相比较还不够低,NAND闪存已经成功地由平面转为3D,而DRAM还是维持2D架构;在此同时,DRAM制程的微缩...

分类:业界动态 时间:2017/3/18 阅读:449 关键词:DRAM

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