台积电继宣布明年调薪15，强化人才诱因，23日又宣布与北京清华大学合作，共同邀请在半导体领域表现杰出的清大校友，在2010年举办一系列半导体创新人才演讲及座谈会，并提供清大先进65纳米与90纳米制程晶圆共乘服务，协助系统单芯片等技术...
分类：业界要闻 时间：2009/12/24 阅读：719 关键词：清华大学
台积电继宣布明年调薪15%，强化人才诱因，23日又宣布与北京清华大学合作，共同邀请在半导体领域表现杰出的清大校友，在2010年举办一系列半导体创新人才演讲及座谈会，并提供清大先进65纳米与90纳米制程晶圆共乘服务，协助系统单芯片等技...
分类：名企新闻 时间：2009/12/24 阅读：1008 关键词：清华大学
韩国存储器厂海力士(Hynix)于2009年12月20日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM，工作频宽为7Gbps，32位元I/O通道，数据处理速率每秒28GB/s，电压为1。35V。新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程
分类：业界要闻 时间：2009/12/23 阅读：281 关键词：DRAM
尔必达公司近日宣布完成了基于其新65nmXS(extra-shink)制程1GbDDR3内存芯片产品的开发工作，并称使用这种新制程技术制作出的内存芯片在制作成本方面要比现有的50nm制程内存芯片更低。当应用在300mm尺寸晶圆上时，这种65nmXS
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDRMLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪...
分类：名企新闻 时间：2009/12/7 阅读：668 关键词：NAND
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDRMLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪...
分类：新品快报 时间：2009/12/2 阅读：145 关键词：NAND
经历上一波DRAM产业不景气,台系DRAM厂伤得很重,好不容易等到价格反弹到现金成本之上,开始全力扩产找回过去失落的市占率,惟即使目前台系DRAM厂再努力,也只能用落后的制程来追赶,传出三星电子(SamsungElectronics)采用40奈米制
分类：业界要闻 时间：2009/11/30 阅读：992 关键词：DRAM
南亚科办理现金增资募资,定价为新台币20元,由于大股东台塑集团力挺,加上是台湾少数有能力转进50纳米制程的DRAM厂,引发市场买盘簇拥,加上英特尔(Intel)表示2010年上半DRAM芯片有缺货的疑虑,目前南亚科制程技术,因此引发市场关注,
分类：名企新闻 时间：2009/11/25 阅读：1057 关键词：DRAM
三星电子(SamsungElectronics)加速制程微缩,积极导入40纳米制程,第4季已开始小幅试产DDR3,预计2010年下半40纳米将成为主流制程,成本结构再度竞争同业,而美光(Micron)阵营50纳米制程2010年大量产出,尔必达(
分类：业界要闻 时间：2009/11/18 阅读：839 关键词：DRAM
台积电公司最近驳斥了其40nm制程良率大幅下跌的传言，并宣称该制程的良率仍保持在良好的水平。台积电的发言人向EETimes网站表示：“我们的40nm制程良率并未如传言所称的那样出现了大幅下跌。而且我们也对明年改进40nm制程工艺充满了信心...
分类：名企新闻 时间：2009/11/11 阅读：652 关键词：40nm
据业界分析,台积电的40nm制程目前仍然存在着良率不足的问题.今年早些时候,台积电曾公开承认此问题,但后来他们宣称已解决先前大部分良率问题.不过,根据本周四Nvidia公司举办的一次会议的内容,我们可以看出Nvidia公司内部对台积电的40nm产...
分类：名企新闻 时间：2009/11/9 阅读：184 关键词：40nm
韩国三星公司最近显著加大了逻辑芯片制造技术的研发力度,该公司最近成立了新的半导体研发中心,该中心将与三星现有的内存芯片制程技术研发团队一起合作,进行新半导体材料,晶体管结构以及高性能低功耗半导体技术的研发.另一方面,三星旗下的...
分类：业界要闻 时间：2009/11/9 阅读：911 关键词：半导体
三星电子近日宣布其新半导体研发中心开始着手开发先进逻辑制程.该项技术将成为三星在晶圆代工业务方面的重要主力.三星半导体研发中心将三星电子的逻辑开发团队和记忆体开发团队集中在一起,以实现包括新材料,元件结构等各个领域的协同作用...
分类：业界要闻 时间：2009/11/6 阅读：770 关键词：三星
“中芯国际个45nm产品今年12月试产。”中芯国际总裁兼执行长张汝京在10月23日上海举办的第九届技术研讨会上透露，“中芯深圳的200mm生产厂今年年底将建设好，明年季度设备进场，安装调试，第二季度开始试产。”在随后的媒体见面会上，中...
分类：业界要闻 时间：2009/10/26 阅读：321
晶圆代工大厂联华电子(UMC)宣布，为扩大产能并进行45/40纳米制程生产，该公司位于新加坡的生产基地Fab12i已积极展开扩产，将能针对客户在先进制程方面日益增多的需求提供更好的服务，并且能扩大先进制程之市场占有率。联电负责12寸晶圆厂...
分类：名企新闻 时间：2009/10/14 阅读：1042
