晶体管资讯-维库电子市场网【第31页】

瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQ

分类：名企新闻时间：2007/1/30 阅读：245 关键词：晶体管

Intel公司和IBM周五宣布在晶体管的研发上获得40年来最重大的进展之一，可确保微芯片尺寸更小，性能更强大。两家公司通过各自独立的开发达成了这一目标，并在周五就行了发布。该项成果是在晶体管中使用一种新材料层来控制流经晶体管的电流...

分类：业界要闻时间：2007/1/30 阅读：729 关键词：晶体管

Intel公司和IBM周五宣布在晶体管的研发上获得40年来最重大的进展之一，可确保微芯片尺寸更小，性能更强大。两家公司通过各自独立的开发达成了这一目标，并在周五就行了发布。该项成果是在晶体管中使用一种新材料层来控制流经晶体管的电流...

分类：业界要闻时间：2007/1/29 阅读：719 关键词：晶体管

全球的芯片制造商———英特尔和IBM26日宣布，在芯片技术上取得了40年以来的突破，用金属材料代替二氧化硅作为晶体管，使未来的芯片的体积变得更小，功能更强大。双方分别以各自的研究，通过使用一种新物质来制造晶体管而达成突破。体积...

分类：名企新闻时间：2007/1/29 阅读：253 关键词：IBM 晶体管英特尔

瑞萨科技（RenesasTechnologyCorp.）发布了高性能的功率硅锗HBT（注1）——RQG2003。该产品实现了业界的性能水平，可应用于无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等设备。样品将于2007年3月在日本开始供

分类：名企新闻时间：2007/1/29 阅读：232 关键词：晶体管

用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构如图(a)所示，位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大；它们分...

分类：业界要闻时间：2007/1/26 阅读：3654 关键词：晶体管

万用表粗测晶体管时，万用表应置于电阻档，其等效电路如图1中虚线框内所示，其中以R0为等效内阻，U0为表内电压源。当万用表置于R×1、R×100、R×1k档时，U0＝1.5V。1、测二极管万用表置R×lk档，两表笔分别接二极管的两极，若测得的电阻...

分类：业界要闻时间：2007/1/26 阅读：280 关键词：机械万用表晶体管

Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅锗HBT*1实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG200

分类：新品快报时间：2007/1/25 阅读：267 关键词：功率放大器晶体管

瑞萨宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG2003是一种用于功率放

分类：新品快报时间：2007/1/25 阅读：760 关键词：高性能晶体管

晶体管低频放大器主要是用来放大低频小信号电压的放大器，频率从几十赫到一百千赫左右一、晶体管的偏置电路为了使放大器获得线性的放大作用，晶体管不仅须有一个合适的静态工作点，而且必须使工作点稳定。由于温度对管子参数β、Icbo、Ub...

分类：业界要闻时间：2007/1/24 阅读：1017 关键词：放大器晶体管

Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅锗HBT*1实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG200

分类：名企新闻时间：2007/1/24 阅读：957 关键词：功率放大器晶体管

瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.）宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。作为瑞萨科

分类：新品快报时间：2007/1/24 阅读：748 关键词：晶体管

在国家自然科学基金委、科技部、中科院的大力支持下，化学所有机固体院重点实验室刘云圻研究员、张德清研究员、朱道本院士和他们的研究生，近期在利用有机氮氧自由基为半导体材料制备的场效应晶体管的研究方面取得新进展，有关研究成果申...

分类：业界要闻时间：2007/1/24 阅读：915 关键词：晶体管

DirectMeasurementofThresholdVoltagesofFieldTransistorUsingTransistorswithFeedbackofDeepInversionZalink公司JohnEllis传统上，采用多晶硅栅极

分类：业界要闻时间：2007/1/23 阅读：363 关键词：晶体管

分类：业界要闻时间：2007/1/23 阅读：1799 关键词：电容器晶体管

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