美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）的研究人员已经用烟草花叶病毒制造出了开关速度非常快的“病毒晶体管”。由于晶体管的开关速度直接关系到芯片处理信息的速度。如果能将病毒晶体管大量集成制造成芯片，将有望大大提升电子产品的性能。研究...
时间：2007/1/11 阅读：632 关键词：晶体管
【日经BP社报道】在ISSCC2007上，由采用碳纳米管的晶体管组成的电路将亮相。美国IBMT.J.WatsonResearchCenter的研究小组预定发表5级环形振荡器在CMOS回路中，一般使用NMOS晶体管与PMOS晶体管来组成环形振荡器。而
瑞萨科技开发用于45纳米节点及以上工艺芯片的高性能、低成本晶体管技术
全瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.）日前宣布，开发出一种可用于45nm（纳米）节点及以上工艺微处理器和SoC（系统级芯片）产品的高性能和低成本晶体管技术。新开发的技术包括采用P型晶体管金属栅极，以及N型晶体管传统多晶硅栅极
瑞萨科技开发用于45纳米节点及以上工艺芯片的高性能、低成本晶体管技术--可以经济地生产带有采用金属（P型）和多晶硅（N型）栅极混合结构的CMIS晶体管而不必对现有的制造工艺进行重要改变—瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.）今
分类：业界要闻 时间：2006/12/20 阅读：1040 关键词：晶体管
来自美国伊利诺伊州大学Urbana-Champaign分校的科学家近日宣布，他们已经成功研制出了世界上最快的晶体管，该晶体管已经打破了目前的世界纪录，运行频率达到845GHz。这种晶体管采用磷化铟和铟镓砷化物作为原材料，并且运行速度比其它最快...
分类：业界要闻 时间：2006/12/18 阅读：676 关键词：晶体管
美国Illinois大学Urbana-Champaign分校的科学家们打破了他们自己保持的最快的晶体管记录，制造出了频率为845G赫兹（109）的晶体管，已经接近了太赫兹（1012）装置的目标。任Illinois大学电子与计算机的Holonya
MIT（麻省理工学院）的工程技术人员将于当地时间本周一发表一篇有关晶体管技术方面的研究论文，他们希望能够在开启迷你电子产品方面发展到一个新的阶段。据MIT的工程师预计，硅晶体管的尺寸和性能在未来的10到15年之内将达到极限。因此，...
分类：业界要闻 时间：2006/12/13 阅读：897 关键词：晶体管
英飞凌科技(InfineonTechnologies)日前发表多重闸极场效晶体管(Multi-gatefield-effecttran-sistor)技术，在未来是面对众多挑战的解决方法之一。在面积小又需要众多功能的集成电路上，比今日的平面单闸极技
CNET科技资讯网12月12日国际报道英特尔公司正在研发一种晶体管设计，这有助于英特尔的设计人员在处理器中集成更多的内存。英特尔技术和制造集团负责零件研究的主管迈克表示，研究人员计划在本周的“国际电子设备会议”上宣读一篇论文，阐...
在12月11日至13日举行的电气和电子工程师协会(IEEE)国际电子设备会议上，美国麻省理工学院德尔?阿拉莫实验室的研究人员向与会者介绍了砷化铟镓晶体管技术。专家认为，该成果有望将微电子革命带入新的重要阶段。砷化铟镓(InGaAs)晶体是德...
分类：业界要闻 时间：2006/12/13 阅读：863 关键词：晶体管
意法半导体推出了新系列功率MOSFET产品的款产品。通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长...
的功率半导体产品制造商之一的意法半导体日前推出了新系列功率MOSFET产品的款产品。通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。商用照明应用市场对更高...
