美光今天宣布推出新款e-MMC嵌入式闪存设备，容量达到了创纪录的32GB，并使用了的34nmMLCNAND生产技术。e-MMC嵌入式闪存主要面向汽车行业和工业领域，采用153针FBGA封装，封装尺寸仅14×18×1.4毫米，核心电压为3.3V。
分类：业界要闻 时间：2008/8/18 阅读：895
Intel与美光推出34nm NAND芯片, 引领跨入30nm工艺时代
Intel和美光(Micron)日前宣布，其合资公司IMFlashTechnologies已经开发出基于34nm工艺的32GbMLCNAND闪存单芯片，该器件die面积仅为172mm2，将使用300mm晶圆片制造。Intel和美光计划从6月份开始提
海士力正在推进54nm生产准备计划 表示08年将在DRAM领域追上三星
海士力半导体公司董事长金钟甲28日表示，海士力公司08年在DRAM领域将追上三星电子，完全消除二者的技术差距。海士力公司董事长金钟甲28日在股东大会上做出上述表示，他向与会的各位股东阐述了海士力公司的长期目标和战略，他说，“海士力...
分类：行业趋势 时间：2008/4/1 阅读：182 关键词：DRAM
SPIE先进光刻会议上传来消息，日本Canon开发的深紫外光刻设备已经发货，用于研发而非生产。Canon公司的SFET设备(small-fieldexposuretool)数值孔径0.3，视场尺寸0.2-x0.6-mm。据日本芯片研发联盟Selet
分类：行业趋势 时间：2008/2/28 阅读：273
海力士半导体（HynixSemiconductor）宣布，采用50纳米级制程的1GbDDR2DRAM芯片已通过英特尔验证，这也标志着DRAM行业芯片制程首次突破60nm。这款基于54nm工艺的芯片将使海力士的生产效率比60nm级制程要高50%，同时
近日，处理器宣布进入45nm级别，开创一个新的处理器技术革命时代。此时内存业也有好消息传出，由于得到Intel的认证许可，Hynix宣布正式推出54nm工艺1GbDDR2DRAM内存。这也是内存业内首次进入50nm工艺技术的级别。更先进的工艺制程将
分类：业界要闻 时间：2007/11/23 阅读：1176 关键词：DDR
