根据《韩国经济日报》(KoreaEconomicDaily)报导，苹果公司(AppleInc.)与三星电子(SamsungElectronics)日前签署一项代工协议，双方将再续前缘──三星将为苹果未来的iPhone...
分类：名企新闻 时间：2013/7/19 阅读：1212 关键词：14nm
在Synopsys的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这一目标又迈进了
intel将在2013年生产新处理器-生产工艺代号为Broadwell，这种14纳米芯片将具有更加集成的设计特点，将是英特尔个真正的系统芯片（SoC化），因为这个芯片上将包含以太网、Thunderbolt或者USB3.0等功能。根据摩尔定律，集
据国外媒体报道，来自SemiWiKi的消息称，首款基于14纳米技术制造的CPU的名字日前揭晓。英特尔公司的这款14纳米CPU定名为凌动Z2580。该产品支持4GLTE技术，而4GLTE技术则是手机，平板电脑甚至是超级笔记本极有可能使用的技术。但跟该
据外电报道，Intel公司首席执行官PaulOtellini称公司正加快新款Atom处理器的设计进度，并表示Intel公司的一个目标是在智能手机和平板电脑设备上部署Atom处理器。目前Atom处理器路线图并不为Intel内部所满意，Otellini
东芝公司宣布，即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片，这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。东芝透露，24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度的2bpc(每单元两个比特)MLCNAND闪存芯片，单颗容量64Gb(8GB)
分类：名企新闻 时间：2010/9/1 阅读：1143 关键词：NAND
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露，与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管（以Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表）的计划。其中来自半导体代工巨头台积电公司负...
台积电CEO兼董事长张忠谋近日在加州圣何塞的一次技术会议上表示，台积电将会和整个半导体产业一起，向14nm以下的制造工艺进军。张忠谋认为，2011-2014年间的全球半导体市场的发展速度不会很快，原因有很多，其中之一就是受摩尔定律制约，...
分类：名企新闻 时间：2010/4/16 阅读：1887 关键词：14nm
Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2内存芯片产品开发完成
韩国内存厂商Hynix日前宣布他们已经完成了2Gb密度低功耗DDR2内存芯片产品的开发，这款产品将主要面向移动设备，可在智能手机，平板电脑等移动设备上使用，Hynix并称这种芯片将于今年上半年开始投入量产。这款内存芯片产品的数据传输率可...
分类：名企新闻 时间：2010/1/14 阅读：433 关键词：DDR2
据报道，海力士今天宣布了基于54nm工艺的第二代1GbDDR3内存芯片，新一代1GbDDR3芯片分为256MbX4和128MbX8两种，并将会在本月开始投入量产。此次宣布的1GbDDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V电压，但功耗降低了30%，号称
分类：名企新闻 时间：2009/10/13 阅读：1053 关键词：DDR3
英特尔SSD的NAND闪存向34nm工艺产品过渡“售价最多可降低60％”
美国英特尔发布了配备34nm工艺技术NAND闪存的SSD（固态硬盘）（英文发布资料）。该公司称配备34nm工艺NAND闪存的SSD为“业界首款”。过渡到34nm工艺，可缩小芯片面积等，产品厂商能以最多降低60％的价格购入SSD产品。可兼容2.5英寸
Intel宣布，公司已出货业界首款34nm制程NAND闪存SSD。Intel称34nm制程可使SSD价格下滑60%之多，PC和笔记本制造商以及消费电子制造商可获得更小尺寸的芯片，实现先进工程设计。SANFRANCISCO—IntelCorp.sai
近日，MicronTechnology宣布NAND闪存芯片实现量产采用34nm工艺技术。还称其子公司LexarMedia将推出34nm闪存卡和USB闪盘。Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IMFlash推出34nm芯片。Micron
分类：名企新闻 时间：2009/7/2 阅读：843 关键词：NAND
日前，韩国半导体制造商Hynix（海力士）发布了目前款采用54nm工艺的2GB移动DRAM。Hynix突破了目前采用MCP封装以及PoP封装的移动DRAM只有1GB容量密度的限制，成功实现了2GB的容量密度。新产品工作在1.2V的电压下
分类：名企新闻 时间：2008/12/5 阅读：844 关键词：DRAM
Intel和美光今天宣布，双方联合研发的34nm工艺NAND闪存芯片已经投入量产，这也是业界款40nm工艺以下的NAND闪存产品。这种MLC多层型NAND闪存芯片由Intel、美光联合投资的IMFlashTechnologies生产，切割自30
