日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出一款新型白光、无散射的3mmLED---VLHW4100，该LED针对高端应用进行了优化，可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术，在20mA电流下的
日前，Vishay宣布，推出一款新型白光、无散射的3mmLED--VLHW4100，该LED针对高端应用进行了优化，可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术，在20mA电流下的发光强度为4500mcd至11250mcd
围绕GaN类蓝色LED的相关专利，大型LED厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日亚化学工业，此后便展开了有关侵害专利以及要求对方专利无效...
分类：业界要闻 时间：2010/8/24 阅读：1266 关键词：lead
松下半导体开发出了在25GHz毫米波频带中输出功率可达10.7W的GaN（氮化镓）晶体管。该产品在大口径晶圆获取便利、量产性较高的硅底板上制作而成。该公司称，作为在硅底板上制成的GaN晶体管，达到了“业界输出功率”。另外，该公司还确认到...
分类：新品快报 时间：2010/7/30 阅读：1125 关键词：晶体管
`市场研究机构iSuppli预测，氮化镓(GaN)电源管理芯片市场将由2010年的零规模，在2013年成长至1.836亿美元之谱；该机构表示，其成长动力将出现在2012~2013年之间，主要是由于技术进步所带来的制造成本降低。预期中的GaN组件强劲
分类：行业趋势 时间：2010/4/2 阅读：1375
据iSuppli公司，由于高端服务器、笔记本电脑、手机和有线通讯领域的快速增长，氮化镓(GaN)电源管理半导体市场到2013年预计将达到1.836亿美元，而2010年实际上还几乎一片空白。GaN是面向电源管理芯片的一种新兴工艺技术，最近已从大学实验
分类：业界要闻 时间：2010/3/24 阅读：156
富士通微电子2012年上半年开始量产基于Si底板的GaN类功率元件
富士通微电子将从2010年4～6月开始样品供货基于Si底板的GaN类功率元件。考虑2011年中期开始量产，2012年上半年转为全面量产。投资金额为数十亿日元。产品以富士通研究所于2009年6月宣布开发成功（参阅本站报道）的使用GaN类半导体的HEM
加利福尼亚州圣何塞——专门为光电产业、太阳能及LED照明市场提供外延片和基板的制造商IQE公司在近日宣布收购英国一家专门研制GaN技术的新创公司NanoGaN。本次交易金额高达360万英镑（约576万美元），主要是得益于NanoGaN申请的专利
分类：名企新闻 时间：2009/10/10 阅读：758
长期潜心研究硅衬底LED的江西晶能光电日前演示了基于硅衬底的高功率InGaNLED，据说性能接近于采用传统衬底生长的LED。据了解，晶能光电长期致力于研制GaN-on-SiMOCVD生长技术，该公司总部坐落于江西南昌，本次演示的是一款冷白光LED，
分类：业界要闻 时间：2009/9/21 阅读：503 关键词：lead
EDA元老Jim Hogan：大型IDM可能只剩下英特尔一家
编者点评：未来IDM、foundry、fabless及supplychain等如何发展己引起业界关注。在市场经济推动下半导体产业自身会形成不同时期有不同的平衡点。可能趋势是IDM仍掌握两大类产品CPU及memory，加上利基的analog。fabl
13日，欧司朗光电半导体发布新闻稿表示，成功研发直接发光绿色氮化铟镓(InGaN)激光，该款激光的光输出高达50mW，发射波长为515nm的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体激光相比，直接发光绿色激光器体积更小，温度稳定性更高，调制能力...
比利时研究中心（IMEC）推出一项联合开发计划（IIAP：industrialaffiliationprogram），目标是降低氮化鎵（GaN）技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵（GaN-on-Si），并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化鎵
分类：业界要闻 时间：2009/7/21 阅读：941
IMEC宣布将启动新的产业联盟计划重点开发Si上GaN关键技术
IMEC日前宣布将启动一项新的产业联盟计划，重点开发面向功率转换及固态照明应用的GaN技术。此项计划的主要目标是通过使用大尺寸Si上GaN来降低GaN技术的成本。IIAP任务之一是研发基于大尺寸（200mm以上）Si上GaN的高伏、低损益、大功率开
分类：名企新闻 时间：2009/7/16 阅读：799
日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色LED组件。利用GaN系半导体的蓝色LED组件及绿色LED组件现已达到实用水平，但试制出红色LED组件“还是全球首次”。如果可与蓝色LED组件及绿色LED组件
日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色LED组件。利用GaN系半导体的蓝色LED组件及绿色LED组件现已达到实用水平，但试制出红色LED组件“还是全球首次”（藤原）。如果可与蓝色LED组件及绿...
