ON Semiconductor - 安森美半导体和Transphorm推出600 V GaN 晶体管用于紧凑型电源及适配器
电力电子应用会议(APEC)-407展台-北卡罗纳州–2015年3月17日-推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)，和功率转换器专家Transphorm，先前宣布双方建立了合作关系，把基于氮化
分类：名企新闻 时间：2015/4/3 阅读：211 关键词：Semiconductor
半导体产业是整个电子信息产业链中最关键的产业之一，它为集成芯片产业、LED产业、光伏产业等产业提供关键性基础材料，对整个电子信息产业影响巨大。上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，引发了第三次技术...
分类：行业趋势 时间：2014/12/25 阅读：490 关键词：半导体
RFMicroDevices,Inc.(RFMD)发表两款高线性氮化镓(GaN)RF不匹配功率电晶体(UPT)RFHA3942(35W)及RFHA3944(65W)，提供相较于竞争性GaN电晶体更卓越的线性效能。RFHA3942和RFHA3944的
分类：新品快报 时间：2012/12/4 阅读：773
RFMD发表新型RFHA104x系列高功率氮化镓(GaN)宽频功率电晶体(BPT)，透过化以用于军事通讯、商用无线基础设备和通用领域。透过先进的65V高功率密度氮化镓半导体制程化，以用于高峰值对均值平均功率比应用，高性能放大器以单一放大器设
分类：新品快报 时间：2012/11/30 阅读：916 关键词：功率放大器
ANADIGICS,Inc.日前宣布推出ACA2428氮化镓(GaN)线路放大器MMIC。这款新型GaN功率倍增器线路放大器采用ANADIGICS独有的设计架构，具有同类的性能，可以完全消除1GHzCATV系统中的视频和音频失真问题。该公司的G
分类：新品快报 时间：2012/10/26 阅读：792 关键词：放大器
近日消息，据外媒报道，RFMD于日前发表首款表面安装GaN功率加倍器模块RFCM2680，具备GaNHEMT与GaAspHEMT技术，可从45-1003MHz以的失真效能提供高输出功能，锁定CATV网络、CATV光学节点与线性放大器等应用。RF
分类：新品快报 时间：2011/11/18 阅读：1187
11月4日消息，据外媒报道，RFMD于近日发表采用高功率氮化镓(GaN)制程开发的新款宽带功率放大器RFHA1000GaNPowerIC(PIC)，专门设计针对连续波和脉冲应用，如军事通讯、电子战、无线设备、雷达、双向无线电和通用放大等。此款高效能
分类：新品快报 时间：2011/11/4 阅读：373 关键词：功率放大器
东莞市科技局组织并委托东莞市科技中介同业公会组织有关专家于日前召开了由东莞市福地电子完成的“GaN基LED大功率芯片”项目科技成果鉴定会，该项目获专家组一致认同。专家认为，“GaN基LED大功率芯片”项目创新性地采用激光打孔、镜面反...
时间：2011/8/22 阅读：408 关键词：lead
美国国家半导体公司（NS）宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的100V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成的高边和低边GaNFET驱动器，与使用分立驱动器的设...
分类：新品快报 时间：2011/6/22 阅读：498 关键词：驱动器
日前，宜普电源转换公司宣布推出第二代eGaN场效应晶体管(FET)系列产品中的成员EPC2010，这款产品具更卓越性能，不仅环保、不含铅，而且符合RoHS(有害物质限制)指令。EPC2010FET是一款200VDS器件，RDS(ON)值为2
分类：新品快报 时间：2011/6/10 阅读：236 关键词：晶体管
日前，Veeco发表一款新型MOCVD产品：TurboDiscMaxBright氮化镓（GaN）有机金属化学气相沉积法（MOCVD）多反应器系统，用于生产高亮度LED。Veeco介绍，MaxBright利用Veeco的FlowFlange集群架构自
分类：新品快报 时间：2011/2/11 阅读：1258
在白色LED中使用的蓝色LED芯片及蓝光光驱光源用蓝紫色半导体激光器，目前新型的GaN基板有望使这些GaN类半导体发光元件的性能得到大幅提高。而在该领域，日本业界厂商住友电气工业最近实现了新型GaN基板的大型化，并即将推出产品。该产品...
分类：业界要闻 时间：2010/12/24 阅读：1032 关键词：lead
超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压，已成为大功率LED的关键材料之一，并在射频领域中受宠，其中包括Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出针对这些市场的GaN产品。另外包括IR、ST
分类：业界要闻 时间：2010/11/4 阅读：467 关键词：MOSFET
MOSFET、IGBT可以休矣，即将成为过去，在这个250亿美元的市场取而代之的将是GaN功率器件——这是EPC首席执行官AlexLidow日前在接受EDNChina专访时的说法。Lidow博士之前在I...
分类：业界要闻 时间：2010/9/28 阅读：2560
松下宣布开发出在Graphite（石墨）底板上生长高质量GaN结晶薄膜的技术，并大致探明了其生长原理。这是松下在长崎大学举办的第71届应用物理学会学术演讲会上公布的（演讲号码15p-B-11）。GaN以往一般是在蓝宝石底板或者GaN底板上外延生长...
分类：业界要闻 时间：2010/9/25 阅读：1520
