内存芯片

内存芯片资讯

分析:内存芯片价格探底 市场即将走出低谷?

上周五,随着计算机内存芯片价格的反弹,亚洲芯片厂商的股票出现了上涨,引发了内存芯片市场已经走出谷底的传言。据DRAMeXchange网站称,上周四,DRAM芯片在现货市场上的价格上涨了5%,上周五下午的价格又略有上涨。三星、Hynix的业绩受...

分类:行业趋势 时间:2007/6/5 阅读:909

三星将投资10.1亿美元升级内存芯片生产线

5月29消息,全球的内存芯片厂商三星电子星期一称,它将投资9388亿韩元(约合10.1亿美元)升级其内存芯片生产线。据路透社报道,三星电子在给韩国证券交易所的文件中称,这项投资将在2007年完成,以便提高其内存芯片生产工艺和提高生产效率...

分类:名企新闻 时间:2007/5/29 阅读:750 关键词:生产线

内存芯片商减产止血 期望三季恢复供求平衡

根据来自台湾的内存行业消息透露,部分内存芯片(DRAM)生产商已经开始削减DRAM存储芯片的产量,目的是减少快速下滑的产品价格造成的损失。此外,消息还补充说,这些厂商还希望削减产量能帮助内存芯片在今年第三季度重回供求平衡状态。消息...

分类:业界要闻 时间:2007/5/25 阅读:873 关键词:芯片

有消息称三星下月开始量产DDR3内存芯片

5月15日消息,据国外媒体报道,三星电子公司正在为DDR3内存芯片的发布做准备,三星将在今年晚些时候正式销售DDR3内存芯片。三星公司周一称,英特尔公司已经校验了一部分DDR3内存芯片和模块。这种校验旨在检测新内存芯片与英特尔电脑芯片...

分类:新品快报 时间:2007/5/17 阅读:189 关键词:DDR3

Gartner:5月份DRAM内存芯片价格持续下跌

根据市场研究机构Gartner公司的报告,各种规格的DRAM芯片现货价格继续崩盘,延续了之前的颓势。所有密度和技术的DRAM平均现货价格在五月的个星期内下滑5.7%。Gartner表示,512Mb芯片价格没有受到什么抵抗就跌至2美元之下。200

分类:业界要闻 时间:2007/5/15 阅读:1737 关键词:DRAMGartner

镁光:推出首款1066MHz DDR2内存芯片

全球的DRAM内存芯片制造商之一的美国镁光(micron)公司近期发布首款运行频率达到1066MHz的DDR2内存芯片产品,这一系列的内存模组不仅仅只是用来供给普通内存模组生产制造之用,同时也意味着镁光这一系列的内存芯片颗粒更鼓励内存模组厂...

分类:新品快报 时间:2007/5/14 阅读:195 关键词:DDR2

800MHz低了 镁光推出1066MHz内存芯片

以前,老的DIY玩家可能都知道“StarRam(星存)”这个内存品牌,其实“StarRam”是由美国知名半导体公司——Micron(镁光)在大陆地区推出的独立品牌。之前,镁光内存主要供货于OEM市场,在IBM、COMPAQ、HP、Dell等国际知名

分类:新品快报 时间:2007/5/14 阅读:1182

内存芯片价格五月继续下滑 仍有下降空间

据市场研究公司Gartner表示,上周中多种不同容量的内存(DRAM)芯片集成电路(IC)的现货价格延续了今年以来的跌势,继续不断下滑。Gartner表示,和上一周相比,各种容量和技术的内存芯片平均现货价格的降幅是5.7%,当中价格下跌最严重的是5

分类:维库行情 时间:2007/5/10 阅读:1068

三星研发首款“3D”内存芯片

IBM日前宣布“穿透硅通道”(TSV)技术取得重大突破,很快就能提供商用的堆叠式“3D”处理器芯片;现在,三星率先将这一技术用在了DRAM内存领域,开发出了全球首款堆叠式“3D”内存芯片,内存条的容量也将因此大大增加。三星的这种“晶圆级...

分类:新品快报 时间:2007/4/26 阅读:219 关键词:内存三星

内存芯片参数介绍

具体含义解释:例:SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义:第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。第2位——芯片类型4,代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容

分类:业界要闻 时间:2007/4/20 阅读:971 关键词:芯片

英特尔展示相变内存芯片 欲取代现有闪存技术

本周二,英特尔展示了一种基于问世近30年概念的内存芯片。代号为Alverston的这款芯片属于一种相变内存(phasechangememory)芯片,英特尔技术总监贾斯廷在英特尔开发商论坛(IDF)上展示了128位的Alverston芯片样品。英特

分类:新品快报 时间:2007/4/19 阅读:764 关键词:英特尔

nvidia:2.4v电压有损高频DDR2内存芯片

根据一份来自Nvidia和EVGA的联合声明,两家厂商警告采用基于nvidianforce680isli芯片组,支持芯片组内嵌高速DDR2内存控制器模块的高频内存模组产品很可能会因为工作在非标准的高电压设定数值状态下造成内存芯片的损害。根据nv

时间:2007/4/12 阅读:1207 关键词:DDR2

海力士:第四季度DRAM内存芯片均价上涨9%

海力士半导体周三表示,该公司第四季度DRAM内存平均价格上涨9%,第三季度季涨幅也为9%。NAND型闪存第四季度跌价11%,第三季则为下跌24%。微软Vista的发布,将推动PC内存需求水涨船高,DRAM内存有望在07年表现坚挺。

分类:维库行情 时间:2007/4/12 阅读:1066 关键词:DRAM

3月末内存芯片价格诡异攀升 疑为反弹信号

根据部分存储芯片行业内人士分析,3月30日的品牌及非品牌内存(DRAM)芯片价格的反常变化让人怀疑这可能是内存现货价格将在短期内触底的信号。在3月30日当天,品牌内存芯片的价格单日平均升幅是8%,而非品牌芯片(包括有效测试芯片)的价格...

分类:维库行情 时间:2007/4/5 阅读:947

内存芯片价格诡异攀升 疑为触底反弹信号

根据部分存储芯片行业内人士分析,3月30日的品牌及非品牌内存(DRAM)芯片价格的反常变化让人怀疑这可能是内存现货价格将在短期内触底的信号。在3月30日当天,品牌内存芯片的价格单日平均升幅是8%,而非品牌芯片(包括有效测试芯片)的价格...

时间:2007/4/4 阅读:557