三星在大约两周前披露了其下一代Exynos8OctaSoC，而现在，该公司又宣布了Exynos8890将会是该家族首款成员的消息。三星为该芯片投入了硅产业内的技术，包括14nmFinFET制程、在单芯片上整合应用处理器和强大的新款LTEmode
台积电在28nm、20nm节点了其他晶圆代工厂，但下一代16/14nm节点却有些落后了，以致于苹果A9订单都被三星抢走大半。三星之所以能虎口夺食，不仅是报价更低，而且他们的14nmFinFET工艺进展也更顺利，目前已经量产，首款芯片是三星自家尚
分类：名企新闻 时间：2014/12/1 阅读：784 关键词：14nm
在Synopsys的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这一目标又迈进了
Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2内存芯片产品开发完成
韩国内存厂商Hynix日前宣布他们已经完成了2Gb密度低功耗DDR2内存芯片产品的开发，这款产品将主要面向移动设备，可在智能手机，平板电脑等移动设备上使用，Hynix并称这种芯片将于今年上半年开始投入量产。这款内存芯片产品的数据传输率可...
分类：名企新闻 时间：2010/1/14 阅读：437 关键词：DDR2
据报道，海力士今天宣布了基于54nm工艺的第二代1GbDDR3内存芯片，新一代1GbDDR3芯片分为256MbX4和128MbX8两种，并将会在本月开始投入量产。此次宣布的1GbDDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V电压，但功耗降低了30%，号称
分类：名企新闻 时间：2009/10/13 阅读：1060 关键词：DDR3
近日，MicronTechnology宣布NAND闪存芯片实现量产采用34nm工艺技术。还称其子公司LexarMedia将推出34nm闪存卡和USB闪盘。Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IMFlash推出34nm芯片。Micron
分类：名企新闻 时间：2009/7/2 阅读：846 关键词：NAND
Intel与美光推出34nm NAND芯片, 引领跨入30nm工艺时代
Intel和美光(Micron)日前宣布，其合资公司IMFlashTechnologies已经开发出基于34nm工艺的32GbMLCNAND闪存单芯片，该器件die面积仅为172mm2，将使用300mm晶圆片制造。Intel和美光计划从6月份开始提
