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英特尔凤凰涅磐重拾工艺技术力克敌手

继一年来的艰难跋涉之后,英特尔总裁兼首席执行官PaulOttelini急于扭转不利局面。日前他信心百倍地出现在公众面前,强调英特尔的工艺技术于半导体业内的其它竞争对手,并暗示英特尔正在重新上路。有人问道,在英特尔信息技术峰会(IDF)...

时间:2006/9/29 阅读:881 关键词:英特尔

英特尔:凤凰涅磐,重拾工艺技术力克敌手!

继一年来的艰难跋涉之后,英特尔总裁兼首席执行官PaulOttelini急于扭转不利局面。日前他信心百倍地出现在公众面前,强调英特尔的工艺技术于半导体业内的其它竞争对手,并暗示英特尔正在重新上路。有人问道,在英特尔信息技术峰会(IDF)...

分类:新品快报 时间:2006/9/29 阅读:997 关键词:英特尔

工艺技术改进对聚酰亚胺的需求将不断增涨

聚酰亚胺(PEI)具有优异的综合平衡性能、较高的性能价比、良好的成型加工性,因此不仅作为金属的代用材料,而且成为不可或缺的工程塑料,在众多工业领域中获得了广泛的应用,取得了明显的技术经济效果。例如PEI的结构强度和刚性、耐热性、...

时间:2006/9/7 阅读:2700

日本四强联手,为下一代LSI开发标准化半导体工艺技术

富士通、NEC电子、瑞萨科技和东芝日前宣布,将共同致力于定义一种标准工艺技术,以应用到45nm及新一代先进系统大规模集成电路(LSI)的制造之中。这项联合计划将为工艺技术的某些方面定义一个基本标准,此举将使每一个公司能够便利地获取其...

分类:业界要闻 时间:2006/7/13 阅读:694 关键词:标准化

高可靠性SSMCX连接器采用CNC工艺技术

Aliner公司声称,其SSMCX连接器具备可靠性高和使用寿命长的特点。这得益于其所采用的CNC工艺技术、旨在减少组装成本和次品率的面向组装设计(DFA)和DFU概念。SSMCX连接器尺寸为7.85×8.20mm,高2.5mm,与标准的MMCX连接

分类:业界要闻 时间:2006/6/29 阅读:681 关键词:连接器

AMD纽约兴建芯片厂,将导入32纳米工艺技术?

AMD日前表示,计划在纽约州北部的Saratoga兴建一家300毫米工厂,这是该公司在最近几个月发布的第二个大型工厂计划。这家工厂将耗资35亿美元,预计座落在纽约北部的LutherForest科技园。关于AMD新建300毫米工厂的细节情况不多。AM

分类:业界要闻 时间:2006/6/28 阅读:677 关键词:AMD

高可靠性SSMCX连接器采用CNC工艺技术

Aliner公司声称,其SSMCX连接器具备可靠性高和使用寿命长的特点。这得益于其所采用的CNC工艺技术、旨在减少组装成本和次品率的面向组装设计(DFA)和DFU概念。SSMCX连接器尺寸为7.85×8.20mm,高2.5mm,与标准的MMCX连接

分类:业界要闻 时间:2006/6/6 阅读:275 关键词:连接器

纵观芯片制造工艺技术,CMOS仍将独领风骚数十年

一位业内技术专家指出,CMOS将在未来的数十年内仍然是芯片工艺技术针对性能和成本的选择。德州仪器(TexasInstruments)DSP分部首席专家GeneFrantz表示,尽管过去10年里CMOS工艺和设备技术取得巨大进展,硅技术仍然在理论极限

分类:业界要闻 时间:2006/4/20 阅读:1010 关键词:CMOS

NEC加入索尼东芝联盟,共同研发45纳米工艺技术

日本NECElectronics公司日前已加入索尼-东芝的联合研发团队,共同参与45纳米半导体工艺技术的开发。三家公司近日宣布,他们将一同合作开发45纳米逻辑芯片工艺处理技术。通过这个预计在2007年9月结束的合作开发,三家公司将成

分类:名企新闻 时间:2006/2/8 阅读:661 关键词:NEC

美国国家半导体推出 6 款采用全新先进 BiCMOS 工艺技术制造的高及低电压放大器

采用模拟VIP50工艺技术制造的全新芯片可以大幅提高便携式电子产品及工业系统的精确度及电源使用效率二零零五年九月二十七日--中国讯--美国国家半导体公司(NationalSemiconductorCorporation)(美国纽约证券交易所上市代号

分类:新品快报 时间:2005/9/28 阅读:1529 关键词:高精度

ST率先采用90nm工艺技术生产的128Mb NAND闪存

意法半导体公司(ST)推出采用90nm工艺技术的128MbNAND闪存器件——NAND128W3A2BN6E。90nm技术降低了闪存芯片的成本和功耗。这些闪存广泛应用于如数码相机、录音机、PDA、机顶盒(STB)、打印机和各种闪存卡等消费类电子产品

分类:新品快报 时间:2005/9/5 阅读:813 关键词:NAND