NEC电子开发出40纳米DRAM混载系统LSI 混载工艺技术
NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发，使用该工艺可以生产可集成256MbitDRAM的系统LSI。40nm工艺技术比新一代45nm半导体配线工艺更加微细，被称为45nm的下一代产品。此次，NEC电子推出的工
IMEC扩展32纳米CMOS器件研究范围，纳入DRAM MIMCAP工艺技术研究
比利时研究组织IMEC已扩展其32纳米CMOS器件微缩(scaling)研究工作的范围，纳入了一个关于DRAMMIMCAP(金属-绝缘体-金属电容器)工艺技术的研究项目。IMEC表示，这将使它以及32纳米计划中的许多伙伴能够解决未来节点上DRAMM
分类：业界要闻 时间：2007/10/30 阅读：724 关键词：CMOS
Tower、Ramon完成太空应用抗辐射SoC控制器原型，采用0.18微米CMOS工艺技术
独立代工厂商TowerSemiconductor和专精太空应用的无工厂公司RamonChips宣布完成用于太空应用的抗辐射系统级芯片(SoC)控制器原型。该控制器采用Tower的0.18微米CMOS工艺技术制造。该SoC控制器的时钟频率为150
日前，德州仪器(TI)宣布计划在其的高性能45纳米芯片产品的晶体管中采用高k材料。多年以来，人们一直考虑用高k介电层来解决漏电或耗用功率问题，随着晶体管日趋小型化，这一问题已变得日益严重。与通常采用的硅氧化层(SiO2)栅介电层相比，...
分类：业界要闻 时间：2007/6/27 阅读：566
TI创新芯片材料技术突破漏电问题领跑45纳米乃至更高工艺技术
日前，德州仪器(TI)宣布计划在其的高性能45纳米芯片产品的晶体管中采用高k材料。多年以来，人们一直考虑用高k介电层来解决漏电或耗用功率问题，随着晶体管日趋小型化，这一问题已变得日益严重。与通常采用的硅氧化层(SiO2)栅介电层相比，...
分类：新品快报 时间：2007/6/27 阅读：276
日前，德州仪器(TI)宣布计划在其的高性能45纳米芯片产品的晶体管中采用高k材料。多年以来，人们一直考虑用高k介电层来解决漏电或耗用功率问题，随着晶体管日趋小型化，这一问题已变得日益严重。与通常采用的硅氧化层(SiO2)栅介电层相比，...
分类：业界要闻 时间：2007/6/27 阅读：255
突破工艺技术限制实在不易，东芝另寻突破口提高NAND闪存密度
东芝公司日前宣布，它将不会再试图突破工艺技术的限制，而是将转向3D结构以提高NAND闪存密度。与东芝一起的还有其它几家内存制造商，他们都非常希望能以新设计代替传统的浮栅式NAND，因为该类产品已经快到容量极限了。一些行业分析人士认...
分类：名企新闻 时间：2007/6/19 阅读：197 关键词：NAND
据东芝公司近日发布的消息，该公司再次与清华大学微电子学研究所达成共识，清华大学微电子学研究所认同东芝公司是其获得标准CMOS制造工艺技术(一种半导体集成电路制造工艺技术)支持的重要技术合作伙伴。东芝公司以Unipro21的技术支持模式...
英飞凌授权印度半导体制造公司采用130nm CMOS工艺技术
全球的通信、汽车、安全和工业应用半导体供应商英飞凌科技股份公司与新成立的半导体公司印度半导体制造公司（HSMC）签署了谅解备忘录（MoU），英飞凌将许可HSMC使用其的130纳米CMOS工艺技术。该谅解备忘录将为印度市场的用于手机、身份证...
时间：2007/4/3 阅读：694 关键词：CMOS
2006年初，英特尔在其首款90纳米芯片Prescott出货两年后，又开始交付其65纳米PentiumDPresler处理器。截至2006年11月，英特尔基于65纳米工艺的处理器出货量已超过4,000万颗。在正常情况下，AMD、IBM和德州仪器(T
分类：业界要闻 时间：2007/3/28 阅读：1246
晶圆级封装(WLP)是一项公认成熟的工艺，元器件供应商正寻求在更多应用中使用WLP，而支持WLP的技术也正快速走向成熟。WLP中一个关键工艺是晶圆凸起，其技术发展已进入实用阶段，日趋成熟稳定。随着元件供应商(包括功率和光电子器件)正积极...
分类：业界要闻 时间：2007/3/23 阅读：653 关键词：封装
Avago率先在65nm CMOS工艺技术中验证其SerDes
(电子市场网讯)AvagoTechnologies（安华高科技），全球的非上市半导体公司今日宣布，它已经率先在65nmCMOS工艺技术中验证了其SerDes核心。这一重大里程碑推进了SerDes(串行/解串)ASIC核心设计的发展，使其从当前的
CPU+GPU整合是AMD处理器未来的发展方向，AMD已多次表示，将在2009年推出首款代号“Fusion”的整合型处理器。一般来讲，一款芯片的研发周期在5年左右，那么如此推算来看，“Fusion”应该已经进入了研发中期。日前有关“Fusion”的
分类：业界要闻 时间：2007/2/27 阅读：775 关键词：芯片
晶圆级封装(WLP)是一项公认成熟的工艺，元器件供应商正寻求在更多应用中使用WLP，而支持WLP的技术也正快速走向成熟。WLP中一个关键工艺是晶圆凸起，其技术发展已进入实用阶段，日趋成熟稳定。随着元件供应商(包括功率和光电子器件)正积极...
分类：业界要闻 时间：2007/1/19 阅读：680 关键词：封装
SAIFUN 和中芯国际采用中芯先进工艺技术合作生产 8GB 数据闪存 的集成电路代工厂中芯国际采用 SUNFUN 嵌入式 NROM 技术和设计生产先进工艺 8GB 闪存
新华美通以色列那塔亚11月23日电：中芯国际集成电路制造有限公司（纽约证券交易所：SMI，香港联合交易所：0981）的集成电路代工厂之一和SAIFUN半导体，的非挥发性内存(NVM)技术提供商，今日共同宣布将采用中芯先进工艺技术合作生产
分类：业界要闻 时间：2006/11/23 阅读：3645
