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摩尔定律有救了!1nm晶体管诞生

据外媒报道,今天,沉寂已久的计算技术界迎来了一个大新闻。劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。晶体管的制程...

分类:新品快报 时间:2018/6/22 阅读:3073 关键词:三星台积电

三星宣布11nm新工艺:7nm全面上极紫外光刻

Intel虽然一再强调自己的xxnm工艺才是最精确的,比如同样标称10nm,自己要比三星、台积电的整整一代,但是没办法,人家的脚步要快得多。今天,三星电子又宣布了新的11nm Fi...

分类:业界动态 时间:2017/9/30 阅读:341 关键词:11nm7nm三星

三星将于2018年推出7nm和11nm半导体工艺

三星宣布,新加入了11nm LPP工艺,性能比此前的14nm提升了15%,单位面积的功耗降低了10%。三星将于9月15日在东京举办的半导体会议上公布,未来的技术还会有所提升。三星表...

分类:名企新闻 时间:2017/9/13 阅读:399 关键词:11nm7nm三星

三星宣布将为中高端机型推出11nm芯片

本周一,宣布了全新的 LPP工艺,它将用于后续推出的中高端机型。在新闻公告中表示, LLP的性能相比此前的14nm LLP提升了15%,单位面积的功耗降低了10%。  目前三星的14nm LLP芯片主要用于2017年版Galaxy A系列和J系列手机。三星表示,1...

分类:名企新闻 时间:2017/9/12 阅读:500 关键词:11nm三星

三星11nm FinFET欲登场,台积电的大麻烦?

公司表示,11nm LPP或者11LPP是从上一代14nm工艺进一步发展而来,它能提供15%的性能提升,减少10%面积,但功耗却保持不变。三星补充道:使用该制程的产品将在2018年上半...

分类:业界动态 时间:2017/9/12 阅读:441 关键词:11nm

三星宣布7nm和11nm半导体工艺:2018年推出

三星在二季度的收入一举超越Intel,成为大公司。这些年受惠于高通骁龙、AMD Ryzen/Vega/Polaris的成功,三星的代工生意不仅风生水起、日进斗金,而且不在不知不觉中走在了...

分类:业界动态 时间:2017/9/12 阅读:448 关键词:11nm7nm半导体三星

美国科研人员宣布实现1nm工艺制造

Intel、TSMC及三星三大半导体工厂今年将量产10nm工艺,他们中进度快的甚至准备在明年上马7nm工艺,2020年前后则要推出5nm工艺。但是随着制程工艺的升级,半导体工艺也越来越逼...

分类:业界动态 时间:2017/5/4 阅读:585

计算技术界的重大突破:1nm晶体管诞生

北京时间10月7日消息,据外媒报道,今天,沉寂已久的计算技术界迎来了一个大新闻。劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减...

分类:新品快报 时间:2016/10/18 阅读:369 关键词:晶体管

1nm晶体管能否改写摩尔定律的命运?

40多年来,摩尔定律一直是IT界的铁律,但是现在追寻摩尔定律的难度越来越大,最近,美国团队研制出的1纳米晶体管对芯片商来说无异于“通牒”。这下很多人都不淡定了,媒体...

分类:业界动态 时间:2016/10/11 阅读:365 关键词:晶体管

1nm晶体管诞生 摩尔定律或将走到尽头了

最近,美国劳伦斯•伯克利国家实验室(LawrenceBerkeleyNaTIonalLaboratory)的一个研究团队—已经成功研制出栅极(晶体管内的电流由栅极控制)仅长1纳米的晶体管,号称是...

分类:业界动态 时间:2016/10/10 阅读:828 关键词:晶体管

打破物理极限的1nm晶体管诞生

据外媒报道,劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。晶体管的制程大小一直是计算技术进步的硬指标。晶体管越小,...

分类:新品快报 时间:2016/10/9 阅读:684 关键词:晶体管

“元器件标度将小于11nm”——IBM阐述半导体的未来

半导体制造技术相关国际会议“IEDM2009”开幕的前一天2009年12月6日,举行了两场简短讲座(ShortCourse)。一场以半导体细微化《ScalingChallenges:DeviceArchitectures,NewMaterials,

分类:行业访谈 时间:2009/12/10 阅读:249 关键词:IBM半导体元器件

Lam Research发布2300 Versys Kiyo3x刻蚀系列 关键尺寸一致性可达1nm

半导体晶圆设备供应商LamResearchCorporation日前发布了2300VersysKiyo3x刻蚀设备,关键尺寸(CD)一致性达到1nm,为双重图样曝光过程所面临的CD及重叠(overlay)挑战提供了解决方案。另外,这套设备还配置有升

分类:新品快报 时间:2008/6/26 阅读:1956

安捷伦Draft-802.11nMIMO测试解决方案可完整解调MIMO信号

安捷伦科技公司(Agilent)近日推出了支持draft-802.11n规格的创新测试解决方案。802.11n标准加入多重输入/多重输出(MIMO)技术,以提升数据处理速度及扩大范围。安捷伦这款解决方案包含N4011AMIMO/多端口转接器和N40

分类:业界要闻 时间:2007/3/2 阅读:298 关键词:安捷伦

意法半导体功率MOSFET STD11NM60N通态电阻仅为450mΩ

意法半导体(ST)近日推出了新系列功率MOSFET的款产品STD11NM60N。该产品通态电阻极低,动态特性和雪崩特性优越,为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。STD11NM60N特别适合照明应用产品,例如,大功率

分类:新品快报 时间:2006/12/11 阅读:940 关键词:MOSFET半导体