SQJ469EP-T1-GE3
威世
SOP
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
个
金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-eff...
电话:0755-23994969
手机:13312935954
2N7383
IR
TO-253
无铅环保型
直插式
盒装
大功率
12850.0
JANSR2N7383宇航级 抗辐射MOSFET 宇航级场效应管 IR 2N7383 场效应抗辐射晶体管, P沟道,硅,类型2N7382和2N7383JANTXV M,D ,R和R 英文标准名称:Semiconductor Device, Field Effect Ra...
电话:02151035787
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2SD1391
PANASONIC(松下)
TO-3P
普通型
直插式
散装
中功率
2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放开关 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V...
电话:0755-82533147
手机:13760331317
FDC6306P
FAIRCHILD
SOT163
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
大功率
销售贴片二*管,三*管,电容,电阻等等!!!大量库存,*
电话:755-83013053
手机:13824333347
其他IC
GPT14N50
12+
GE-N-FET锗N沟道
CHAMPION
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
深圳市朗奇科技有限公司(简称“朗奇”)凭着精心严谨的管理及积*进取的精*,分销安森美(ON Semiconductor)、意法半导体(ST)、德州仪器(Texas Instrume...
电话:0755-83995125
手机:13923474399
IRF740
IR
TO220
无铅*型
直插式
单件包装
*率
原装三*管 IRF740 MOS场效应管 集信微(香港)电子有限公司是一家新型*公司,在香港深圳均有办事处,有着良好的货物渠道来源,对于家电IC,光电耦合,LED二三*管,电子仪器,模块,旦电容...
电话:0755-83669008
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IRFP4568
IR
TO-247
普通型
直插式
盒带编带包装
大功率
古东科技是多年主营原装IR场效应管、销售范围都在全国各地。我公司一直秉承着三大、原装、、现货。 多年以来,古东科技以良好的信用,可靠的质量,有竞争力的价格、快捷的物流和灵活...
电话:13509634531
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20N60
INFINEON(英飞凌)
TO-220/TO-220F
无铅*型
直插式
管
大功率
品牌:LONTEN 型号:①铁头LSC20N65,②塑封LSD20N60 参数:20A 600V MOS管 应用:电源,液晶显视器,大功率LED等 优势:公司*层和设计团队、工程人员全来自英飞凌,品质有*,提供原...
电话:0755-83267369
11+
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
是
FGA25N120ANTD
CER-DIP/陶瓷直插
FAIRCHILD/*童
A/宽频带放大
号反压V电流A类型厂家FGA15N120ANTD120015NPT技术*童(FAIRCHILD)FGA25N120ANTD120025NPT技术*童(FAIRCHILDHGTG5N120BND120021 *童(FAIRCHILD)HGTG18N120BND120050 *童(FAIRC电磁炉一...
电话:0755-61329065
手机:13168036650
MOSFEI管TPCF8B01
TOS日本东芝
MSOP8
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深圳市千禧图腾商行是一家的电子元器件配套供应商,公司拥有*的销售精英及完善的技术支持。本公司以“*的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态度”,常年备有大量*原装现...
电话:0755-83232421
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SVF2N60MJ
士兰微
TO*251/252/220/220F
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
中功率
杭州士兰微电子股份有限公司坐落于杭州高新技术产业开发区内,是一家从事集成电路以及半导体微电子相关产品的设计、生产与销售的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路以及相关...
电话:0755-32841181
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SD20N60,24N60C3,35N60C3
英飞菱
金属封装
普通型
直插
大功率
散装
专营英飞菱系列三*管:11N60CFD,15N60C3,20N60S5,20N60C3,SD20N60,17N80C3,20N60CFD,24N60C3,6R385, 32N50C3,35N60C3,35W60C3,12N50C3,47N60C3,25N120,20T120,25T120,40T120,75T60,6R...
电话:0754-82330350
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电话:0755-83239944
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SP9435A
SiPu
SOP-8
无铅*型
贴片式
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长 SP9435、SP4953期 SP9926、SP8205供 SP4606、SP4435应 均为台湾Sipu品牌 电话:传真:
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RTF025N03TL
ROHM(罗姆)
SOT323
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
深圳市恩凯特电子有限公司温馨提示您 1.由于本店的产品型号品种较多,所以价格无法一一叙述,只作为形式上标价的,不作双方买卖价格,数量越多价格越优惠,请顾客在拍之前与我店销售...
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RSH070N05TB
ROHM(罗姆)
SOP8
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
*率
RXH125N03TB RXH100N03TB RXH090N03TB RXH070N03TB RSH070N05TB RSH065N06TB RRH090P03TB RRH075P03TB RRH050P03TB RRH040P03TB SH8K15TB SH8K14TB SH8K13TB SH8K12TB SH8K11TB SH8J6...
电话:0755-82807427
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IRFP4668PBF
IR
TO247
普通型
直插式
单件包装
大功率
供应IR原装现货IRFP4668PBF场效应管 深圳翊翔电子是一家的电子元件供应商,专向生产开关电源,UPS电源,控制器,变频器,HID,充电器,逆变器,照明,LED,工*,通信等提供相关电子元...
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APM2391AAC-TRL
茂达
SOT
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
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MOS管:【AO IOR VISHAY FAI 】茂达,长茂 等 (SOT252,TO220,TO220F,SOP-8,SOT23)*批发:ISL81487 X5045 X5043 X9511 HIN202 RX8025 TOP22X TOP24X EL817/PC817 CD22M3494 ISL81487 ...
电话:0755-36978948
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IR/国际整流器
IR1166STRPBF
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
其他IC
东品科技代理分销的品牌有:Winbond AKM ROHM AVX NXP LRC BCD RICHTEK NANYA ST TI ISSI LATTICE UTCTYCO WILL KEC NEC EPSON TOREX TOSHIBA ON长电 ANASYS LITEON PMC IPEXMPS RDA ...
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AP75N75
Chipown
000
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
应用领域 直流马达控制螺线管和继电器驱动DC-DC转换器自动控制系统 优点 易于装配节省空间高功率密度 主要特性 典型Rds(on) =9.7mΩ*高的dv/dt性能100%雪崩测试低内部寄生电容
电话:0755-82543436
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Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...