制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Power-56-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.85 mOhms

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 156 W

配置: Single

商标名: PowerTrench Power Clip

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 0.8 mm  

长度: 3.3 mm  

系列: FDMS86150  

宽度: 3.3 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 56.500 mg

NMOS的漏极电流与漏极电压之间在不同VGSVth的关系

MOSFET在线性区操作的截面图

MOSFET在饱和区操作的截面图依照在MOSFET的栅极、源极，与漏极等三个端点施加的“偏压”（bias）不同，一个常见的加强型（enhancement mode）n-type MOSFET有下列三种操作区间：截止或次临限区（cut-off or sub-threshold region）　当栅极和源极间的电压VGS（G代表栅极，S代表源极）小于一个称为临界电压（threshold voltage,Vth）的值时，这个MOSFET是处在“截止”（cut-off）的状态，电流无法流过这个MOSFET，也就是这个MOSFET不导通。

但事实上当VGS>Vth、且VDS=0，一些拥有大量MOSFET的积体电路产品，如DRAM，次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。

MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（William Shockley）等人发明的双载子晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型积体电路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型积体电路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的领域里，重要性远超过BJT。

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