SKM100GB128D
西门康
无铅*型
一、主要生产制造销售125度电容、105℃电容、85℃电容、高压电解电容、高频低阻*电解电容、低漏电电解电容、*灯电容、无*性100V47uF、63V100uF、63V220uF电容,5000小时、8000小时、10000小时、20000小时等长寿命电容、储能电容、大容量电解电容、滤波电容、铆...
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APT40GF120JRDQ2
Microsemi
无铅*型
APT40GF120JRDQ2 APT40GP60B APT40GP60B2D APT40GP60B2D1 APT40GP60B2DF2 APT40GP60B2DQ2 APT40GP60B2DQ2G APT40GP60BG APT40GP60F2 APT40GP60J APT40GP60JDF1 APT40GP60JDQ2 ... 北京亿众恒业现货供应三菱全系列IGBT,IPM ,PIM,可控硅,晶闸管等,电话:.代理EUP...
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三菱
无铅*型
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SKM75GB123D
西门康
无铅*型
BSM50GB60DLC 50A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low Loss，饱和压降1.95V 34mm BSM75GB60DLC 75A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low Loss，饱和压降1.95V 34mm BSM100GB60DLC 100A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low Loss，饱和压降1.95V 34mm BSM150GB60DLC 150A，600V@Tc=80℃，IGB...
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日本富士
无铅*型
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BSM50GB600DLC
三肯
无铅*型
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MG100J2YS50
东芝
普通型
MG100J2YS50型号:MG100J2YS50 MG100J2YS50封装:模块 MG100J2YS50数量:33 MG100J2YS50品牌:东芝 MG100J2YS50备注:质量*
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SEMiX603GAL066HDs
西门康
普通型
SEMiX603GAL066HDs 720A 斩波器模块 SEMIX 3s
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PDG30016
NIEC
普通型
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2*100N-120
富士IGBT模块
无铅*型
产品名称：2*100N-120 所属类别：模块 - 富士通 产品描述：2*100N-120 现货数量：100 简单描述：100A/1200V/IGBT/2U 本公司代理 三菱、三社、三垦、富士、东芝、 西门子、西门康、摩托罗拉、IR 、EUPEC 、IXYS 公司生产的 GTR 、IGBT 、IPM 、PIM 、可控硅、...
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FZ1200R12KF4
EUPEC
普通型
）FF150R12KE3G FF200R12KE3 FF300R12KE3 FF400R12KE3 FF600R16KF4 （4）FF150R12KT3G FF300R12KT3 FF400R12KT3 （5）FZ300R12KE3G FZ400R12KE3 FZ600R12KE3 FZ800R12KE3 （6）FZ800R16KF4 FZ1200R16KF4 FZ1200R12KF4 FZ1600R16KF4 FZ1800R16KF4 FZ2400R16KF4...
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三菱
本公司是一的功率模块、集成电路、机电设备和液压件供应商，专营日本三菱、富士、东芝、美国快捷、ABB、TYCO、IR、德国IXYS、西门子、欧派克、西门康等公司IGBT、场效应管、达林顿、IPM、PIM、GTR、三相整流桥、可控硅模块； 长期现货库存，*热买！
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近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个LV100（三菱）、XHPTM 2（英飞凌）、HPnC（富士电机）以及耐压高达2300V的同等半导体...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？ 当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。 电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。 但变频器实际是要驱动电机的，接在电...
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...
如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...
