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场效应IGBT

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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*场效应IGBT H25R1202
*场效应IGBT H25R1202

    品牌:英飞凌 型号:H25R1202 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:·（V） 夹断电压:·（V） 低频跨导:&mid...

    场效应IGBT.原装H20T120
    场效应IGBT.原装H20T120

      品牌:INF 型号:H20T120 封装形式:直插型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 营销方式:现货 用途:广泛迅丰电子供应场效应IGBT 原装 INF H20T120 有需要欢迎来电咨询 谢谢

      场效应IGBT管HGTG11N120CND
      场效应IGBT管HGTG11N120CND

        品牌:*童 型号:HGTG11N120CND 批号:10+ 封装:TO* 营销方式:现货 产品性质:* 制作工艺:半导体集成HGTG11N120CND *童 TO*封装 原装现货供应深圳市伟隆达电子是一家以代理经销世界各知名品牌集成电路为，集产品销售、方...

        • 徐伟

        • 供应商等级： 免费会员
        • 企业类型：经销商
        • 地区:广东深圳

          • 电话：0755-28195839

        场效应IGBT，G23N60,23N60
        场效应IGBT，G23N60,23N60

          品牌:FAIRCHILD飞兆 型号:SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N6UFD,SGL160N60UFD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:电源类，电焊机设备 夹断电压:600（V）亿隆半导体有限公司是一家...

          场效应IGBT，IRGP30B120KD-E
          场效应IGBT，IRGP30B120KD-E

            品牌:IR 型号:IRGP30B120KD-E 封装:TO-247AD *限电压:1200（V） *限电流:30（A） 用途:用于设备的电源部分 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道型号：IRGP30B120KD-E描述：1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a...

            场效应IGBT，SGH23N60,23N60
            场效应IGBT，SGH23N60,23N60
            • 品牌/商标：

              FAIRCHILD飞兆

            • 型号/规格：

              SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N6UFD,SGL160N60UFD

            • 种类：

              绝缘栅(MOSFET)

            • 沟道类型：

              N沟道

            • 导电方式：

              增强型

            • 用途：

              电源类，电焊机设备

            • 封装外形：

              CER-DIP/陶瓷直插

            • 材料：

              GE-N-FET锗N沟道

            场效应IGBT，IRGP30B120KD-E
            场效应IGBT，IRGP30B120KD-E
            • 品牌/商标：

              IR/国际整流器

            • 型号/规格：

              IRGP30B120KD-E

            • 种类：

              绝缘栅(MOSFET)

            • 沟道类型：

              N沟道

            • 导电方式：

              耗尽型

            • 用途：

              VA/场输出级

            • 封装外形：

              CER-DIP/陶瓷直插

            • 开启电压：

              -（V）

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