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三星NAND闪存芯片,涨价20%

2023 年对三星来说是糟糕的一年,因为芯片的需求随着芯片价格的下降而下降。该公司的摇钱树历史上首次出现亏损。受此影响,三星电子的利润创下近年来最低水平。不过,预计...

分类:业界动态 时间:2024/3/14 阅读:463 关键词:NAND闪存芯片

集邦咨询:HBM3最初由SK海力士独家供应,AMD验证后三星股价快速上涨

TrendForce强调了HBM市场的当前格局,截至2024年初,该市场主要集中在HBM3 。NVIDIA 即将推出的 B100 或 H200 型号将采用先进的 HBM3e,标志着内存技术的下一步发展。然而...

分类:行业趋势 时间:2024/3/14 阅读:915 关键词:HBM3

三星成立人工智能半导体联盟:“玻璃基板”

三星集团的电子子公司正在联手通过建立联合研发(R&D)统一战线,加速玻璃基板(一种用于半导体封装的材料)的商业化。该战略旨在比十年前进入玻璃基板研发的半导体竞...

分类:业界动态 时间:2024/3/13 阅读:218 关键词:三星

三星显示器开始建设全球首条 8.6 代 OLED 面板生产线

三星显示器已开始建设全球首条第8.6代有机发光二极管(OLED)生产线。随着苹果等主要制造商在笔记本电脑和平板电脑市场中增加OLED显示器而不是液晶显示器(LCD)的比例,三星再次进行巨额投资,以进一步拉大与后来者的中国京东方的差距。...

分类:业界动态 时间:2024/3/11 阅读:284 关键词:三星

三星开始向汽车制造商提供固态电池样品

三星表示,已开始向汽车制造商提供固态电池样品,并将于 2027 年开始批量生产用于电动汽车和其他应用的电池。  去年,该公司在水原建立了一条中试线,并利用它来精炼产品...

分类:名企新闻 时间:2024/3/11 阅读:250 关键词:三星

三星加码印度半导体

随着印度建设半导体工厂如火如荼,研发方面的投资也不能落下。业内消息,三星宣布在印度班加罗尔设立新的半导体研究机构。  据悉,三星半导体印度研究院(SSIR)现在拥有...

分类:业界动态 时间:2024/3/9 阅读:334 关键词:三星

三星SDI社长崔润浩:46毫米直径电池将于明年初量产

三星SDI社长兼首席执行官崔润浩在首尔江南COEX举办的韩国最大电池展InterBattery 2024开幕式上宣布,“46毫米直径电池已做好充分准备” 2025年初量产”,具体时间将根据客...

分类:行业访谈 时间:2024/3/9 阅读:730 关键词:三星

三星考虑用回收氖气:明年满足75%光刻需求

根据了解,俄乌冲突,氖气价格自 2022 年以来一路飙升,2021 年韩国进口价格为 58 美元 / 升,而 2022 年飙升至 1612 美元 / 升。最新消息称三星现在计划在芯片生产中使用...

分类:业界动态 时间:2024/3/9 阅读:231 关键词:三星

全球DRAM营收环比增长29.6%;三星电子领先

上季度,全球半导体行业DRAM营收环比增长近30%。据台湾市场研究公司TrendForce 3月5日统计,第四季度全球DRAM营收达174.6亿美元,环比增长29.6%。TrendForce将这一增长归因...

分类:业界动态 时间:2024/3/7 阅读:343 关键词:DRAM

三星电子在 NVIDIA AI 活动上推出全球首款 HBM3E 12 层

三星电子将在 Nvidia 的一场活动中进行突破性的展示,展示物理高带宽内存 (HBM) 3E 12 层 (H),预计将于今年上半年量产。  HBM 的主要客户 Nvidia 准备在上半年推出其下...

分类:名企新闻 时间:2024/3/6 阅读:340 关键词:三星NVIDIA

三星SDI公司将计划在2027年开始量产全固态电池

三星在SDI举行的InterBattery 2024 展会前概述了他们在 ASB 领域所做的准备工作,称其是易燃锂离子电池的解决方案。  三星 SDI 首席执行官崔轮镐(Yoonho Choi)表示:“...

分类:名企新闻 时间:2024/3/6 阅读:317 关键词:三星

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

继去年内存半导体低迷之后,三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术,积极加大对 DRAM 的关注。这一举措是预料之中的,因为在强劲的人工智能 (AI) 需求的推动下,高带宽...

分类:业界动态 时间:2024/3/4 阅读:308 关键词:三星SK海力士DRAM

三星SDI敲定匈牙利建造第三座电池工厂的投资计划

据 TheElec报道,三星SDI已最终敲定了在匈牙利建造第三座电池工厂的投资计划。三星 SDI 正在扩建现有的匈牙利第二工厂,预计将在 9 月竣工。  公司预计今年将在整体的建...

分类:名企新闻 时间:2024/3/4 阅读:264 关键词:三星SDI

DDR 5单芯片容量翻倍,三星揭秘

在最近的 IEEE 国际固态电路会议 ( ISSCC ) 上,三星科学家发表了一篇论文,继续推动 DDR5 性能的进步。  该论文的题目为“A 32-Gb 8.0-Gb/s/pin DDR5 SDRAM with a Symm...

分类:业界动态 时间:2024/2/29 阅读:311 关键词:芯片

三星上半年量产12层HBM3E 力争重夺市场领先地位

三星电子在业界率先量产第五代 HBM(称为“HBM3E”),以扭转人工智能半导体关键组件高带宽内存(HBM)的市场动态。 12层,今年上半年。  2 月 27 日,三星宣布开发出 HB...

分类:名企新闻 时间:2024/2/29 阅读:295 关键词:三星