意法半导体公司和另一家大型半导体厂商海力士半导体近日为在中国江苏省无锡市合资建立的存储器芯片前端制造厂举行了正式的开业典礼。
这个新工厂将负责制造NAND闪存和DRAM存储器芯片，合资双方将获得规模经济带来的经济效益，在制造工艺和产品开发上实现优势互补。
无锡晶圆制造厂将加快意法半导体在NAND闪存市场的前进步伐，同时还将为嵌入式系统厂商提供能够与闪存叠装在一起的高性能的具有成本竞争力的DRAM芯片。新工厂将有助于扩大海力士的12英寸生产线的产能，加强其在增长速度快的中国半导体市场上的地位。海力士DRAM目前在中国的销售量居位，据的iSupply资料显示，市场份额约为47%。无锡工厂竣工后，海力士又增加了一个制造基地，该公司在美国俄勒冈尤金市还有一家制造基地。
两家公司于2005年4月为新工厂举行了奠基仪式，工厂占地面积550,000平方米，无尘洁净室达到20,000平方米，8英寸和12英寸生产线分别于2006年7月和10月开始量产。目前 DRAM芯片采用 80nm、90nm和110nm制造工艺，90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产， 80nm晶圆在12英寸生产线上生产。明年年中，两条生产线除生产现有的DRAM外，还将开始生产工艺先进的NAND闪存。在产能方面，8英寸生产线预计月产晶圆 50,000片，12英寸生产线的月产量将达到18,000片晶圆。双方将根据市场情况分配产品和存储器密度。
新的无锡工厂将是中国的晶圆制造厂，这个合资厂的总投资额为20亿美元，意法半导体与海力士半导体的股份比例1/3：2/3，中国本地金融机构和意法半导体还为合资公司提供了联贷计划。该合资公司雇用大约2000名员工，绝大多数人来自本地劳动力。
“在韩国与欧洲公司的同类合资公司中，这个大型合资企业可能是的，” 意法半导体总裁兼执行官Carlo Bozotti 表示，“新的合资厂将会给双方带来巨大的规模经济效益，实现双方在技术上优势互补。获得具有成本竞争力的DRAM产品，同时合作开发NAND产品，将进一步加强ST在封装级集成市场的地位。这项重要技术是在同一个封装内叠装多个存储器芯片，中国乃至全世界的用户利用这项技术可以提高存储器密度和设备可靠性，同时还能节省手机等消费电子以及工业应用的电路板空间。”
“手机、数码相机以及随身听等便携设备对存储容量的需求越来越高，在这种发展趋势的拉动下，2005年NAND闪存市场的增长速度达到半导体市场有史以来的水平，”意法半导体公司副总裁兼存储器产品部总经理Mario Licciardello表示，“12寸晶圆生产线从60 nm SLC(单级单元) 和MLC(多级单元)NAND技术快速向55nm以下节点过渡 ，将有助于我们满足市场增长，满足手机及数字消费市场用户对高性能和成本低廉的存储器解决方案的需求。”
市场调研公司iSuppli预计今年DRAM市场的增幅将达到24.4% ，营业收入将达到309亿美元，2006年NAND市场增幅将会达到17% ，营业收入将达到126亿美元。中国是世界增长快的半导体市场，目前中国市场占市场约15％。据市场调研机构的预测，中国在2008年前将会成为世界的半导体市场，市场份额占半导体市场的四分之一以上。
