类别：行业资料 出处：网络整理 发布于：2006-09-30 09:41:58 | 706 次阅读
继今年3月DRAM反垄断调查使得三星三名高管面临牢狱之灾之后，日前美国司法部表示，长期担任三星旗下美国公司Samsung Semiconductor高管的Thomas Quinn也认罪，由于在共谋操纵DRAM储存芯片价格而将入狱服刑。
Thomas Quinn是三星旗下美国公司Samsung Semiconductor的内存销售副总裁，被控违反了美国的谢尔曼反垄断法(Sherman Antitrust Act.)。之前曾由此入狱的三名高管分别是三星DRAM销售资深经理Sun Woo Lee、三星美国子公司DRAM营销副主管Yeongho Kang、三星德国子公司销售主管Young Woo Lee，这三人当时均同意每人服刑八个月，并缴纳25万美元的罚金。
此次，司法部表示，根据认罪协议，Quinn同样服刑八个月并支付25万美元罚款，他还同意在未来的调查中提供合作。上述协议需要得到法院的批准。
在美国司法部正在进行的共谋操纵DRAM价格案中，Quinn成为第13个被宣告有罪的人。除了上述三星的三名高管同意认罪之外，德国英飞凌和韩国海力士(Hynix Semiconductor)一共有8人认罪，并被判入狱五到八个月，每人支付25万美元罚款。美光(Micron Technology)的一位高管则早在2003年12月承认妨碍司法并被判软禁六个月。
在过去至少长达三年的时间内，美国一直在调查1999-2003年DRAM制造商的价格操纵问题。迄今已有四家厂商和13人被起诉，罚金总额超过7.31亿美元。韩国的Hynix Semiconductor在去年4月认罪，并同意支付1.85亿美元的罚款。德国英飞凌(Infineon Technologies)在2004年9月同意支付1.6亿美元的罚款。日本厂商Elpida Memory同意认罪，并支付8,400万美元的罚款。美国司法部表示，7.31亿美元的罚款是该部从单件价格操纵共谋案件中所收取的第二高罚款。1999年，美国司法部曾对参与维生素产业价格操纵的两家公司罚款7.75亿美元。
据美国司法部，他们的共谋行为直接影响了对美国电脑厂商戴尔、惠普、康柏、IBM、苹果电脑和Gateway的内存销售。
DRAM价格操纵案情回顾
·3月：DRAM反垄断调查“正在进行式”，三星高管面临牢狱之灾
·5月：DRAM价格操纵案进展:三星、海力士和英飞凌将共被罚1.6亿美金
·6月：美法院确认：三星等内存厂商操纵价格罪名成立
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