Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长便携式电子系统中的电池运行时间。
额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计。作为首批可直接从1.2V总线驱动的功率MOSFET，这些新型TrenchFET还提供了额外潜在优势，通过它们，在内核电压低于1.8V的电池供电系统中无需额外的转换。
额定电压为1.5V的MOSFET中，在更低的未指定栅源电压(例如1.2V)时导通电阻一般会按指数级增加。通过比较，这些新型1.2V TrenchFET在1.2V栅极驱动时提供了确保的低至0.041Ω的n通道导通电阻以及低至0.095Ω的p通道导通电阻。1.5V栅极驱动的导通电阻性能高于栅源电压规格为1.5V的器件中的导通电阻性能：低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。
日前推出的这些器件(以及它们的封装类型)为n通道SiA414DJ(PowerPAK SC-70)、Si8424DB(MICRO FOOT)及SiB414DK(PowerPAK SC75)，以及p通道SiA417DJ(PowerPAK SC-70)、Si8429DB(MICRO FOOT)及SiB417DK(PowerPAK SC-75)。先前推出的采用SC-70封装的p通道Si1499DH完善了Vishay的1.2V功率MOSFET产品系列。
这些新型器件的一般应用包括手机、PDA、MP3播放器、数码相机及其他便携式系统中的负载、功率放大器及电池充电器开关。除凭借低导通电阻节省电池电量外，这些新型器件还可凭借1.5mm×1.5mm的小型封装尺寸节省空间。
目前，所有七款1.2V器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为8～10周。
