类别：其他 出处：网络整理 发布于：2008-12-03 13:13:21 | 1563 次阅读
日前，美国应用材料（Applied Materials Inc.,Santa Clara, Calif.）宣布推出针对穿透硅通孔（through-silicon via，TSV）应用的刻蚀系统Centura Silvia。同时，应用材料表示，正在发货掩膜检测系统Aera2，该系统可使掩膜的常规检测在晶圆厂内实施，而不用由掩膜供应商来完成。
应用材料介绍说，Centura Silvia系统可刻蚀平滑的垂直通孔边墙，满足随后的高质量线和填充薄膜沉积的苛刻要求。该系统可在同一腔体内刻蚀硅和氧化物。应用材料刻蚀和清洗部门总经理Ellie Yieh表示，TSV 3-D互连中多重通孔的刻蚀步骤占据了大部分的成本。
“Silvia系统专为解决传统刻蚀速率与形貌表现的平衡问题而设计，同时将极大地降低用户拥有成本，”Yieh表示。Silvia系统采用应用材料公司的时分多工气体模块（TMGM）工艺，并建立在公司多年的深槽硅刻蚀技术经验基础上，相应的系统已安装超过200套。”
应用材料表示，Silvia系统支持先通孔（via-first）和后通孔（via-last）方法。对于先通孔工艺，刻蚀设备
提供了高的光刻胶选择比，来制作侧墙平滑的小的深孔。对于封装厂和半导体IDM厂商选择的后通孔工艺，用户拥有成本至关重要，Silvia系统通过采用低成本 的消耗品来缩减整体成本。
光刻检测设备Aera2
随着双重图形进入量产阶段，晶圆厂必须确保多次曝光和雾状缺陷累积后掩膜版CD尺寸的一致性（CDU）。应用材料表示，通过在fab的光刻区采用Aera2系统的IntenCD虚像检测技术，制造商能将CDU提高20%，提升器件成品率并降低每个晶圆成像成本。
应用材料硅系统集团副总Tom St. Dennis介绍说，“45nm及更高节点时CD一致性要求极高，尤其是双重图形技术中，CD变化至少有一半来自于掩膜版。”
IntenCD技术在整个光罩区的虚像中产生CDU的map图，较小的掩模缺陷会导致其虚像在亮度上的细微局部变化。应用材料声称，通过代替基于晶圆的测量方法，对掩膜版可用性的判断从两天缩减到一个小时。同时，改进的一致性数据使得光刻扫描机能对CD变化进行补偿，提高了线宽。
晶圆厂内检测能帮助fab经理延长掩膜版寿命。“掩膜版属性呈动态变化，并因多次曝光累计表现的不一致，包括雾状缺陷成长和薄膜退化导致的CD错误。通过代替传统固定的根据预定时间表对掩膜版定期维护方法，fab经理采用Aera2系统能将掩膜版维护周期化，并增加其寿命和有效性。”应用材料公司表示。
该检测设备还可搭配应用材料公司Tetra光罩清洗系统一起使用，而不必将掩膜版送出晶圆厂进行清洗。
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