类别:其他 出处:网络整理 发布于:2008-09-10 17:17:24 | 1254 次阅读
日本独立行政法人物质材料研究机构(NIMS)试制成功了使用能够透过可视光的氮化硼(BN)的太阳能电池。BN作为有望实现紫外激光器和透明晶体管等的宽禁带(Band gap)半导体材料而备受期待,不过原来未能解决成为半导体所必须的杂质掺杂问题。此次在高密度BN薄膜中掺入杂质时采用了自主开发的“Laser Mixing Plasma CVD法”,成功试制出BN/Si异质结二极管。使用这种二极管试制的太阳能电池的发电效率为2%左右。
利用Laser Mixing Plasma CVD法能够合成与金刚石具有相同原子价键(sp3价键)结构的高密度BN,同时掺入硅杂质,形成了p型半导体BN,直接试制出了基于硅底板(n型)及其上生成的BN(p型)的异质结二极管的太阳能电池单元。另外,在薄膜表面覆盖有微米级的玉米状微粒,以此来减少太阳光的反射、提高光的吸收率。
BN/Si太阳能电池将专门面向对耐久性、可靠性以及耐候性等有较高要求的无人观测装置和宇宙环境等用途,推出相关产品。今后,除此次试制成功的p型BN之外,还将通过试制n型BN来制作BN同质结二极管。这样,就能够开发出相对于可视光的透明电池,除配合蓄电池、构成车载型太阳能天窗发电系统外,还有望用于开发贴在太阳镜或玻璃窗户上的太阳能电池等。
欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com)
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。