onsemi NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2023-09-01 10:54:34 | 396 次阅读

    安森美 (onsemi) NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块具有两个6mΩ 1200V SiC MOSFET开关和1个热敏电阻,采用F2封装。这些SiC MOSFET开关采用M1技术,由18V至20V栅极驱动。NXH006P120MNF2模块采用平面技术,裸片热阻低,因此可靠性高。典型应用包括直流-交流转换、直流-直流转换、能量存储系统、UPS、交流-直流转换、电动汽车充电站和太阳能逆变器。

    特性
    稳健的M1平面SiC MOSFET技术
    采用平面技术,裸片热阻低,因此可靠性高
    18V至20V栅极驱动
    20V工作电压,可降低损耗
    18V,与其他模块兼容
    规范
    工作结温范围:-40°C至+175°C
    漏极-源极电压:1200V
    功耗:950W
    连续漏极电流:304A
    应用
    直流-交流转换
    直流-直流转换
    交流-直流转换
    UPS
    储能系统
    电动汽车充电站
    太阳能逆变器
关键词:SiC模块

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