的GaN RF半导体解决方案供应商Gallium Semiconductor今天宣布推出GTH2e-2425300P ISM CW放大器，这是一款2.4-2.5 GHz、300W的预匹配离散型GaN on SiC高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）。GTH2e-2425300P可为各类工业、科学和医学（ISM）应用带来全新的效率水平，其中包括半导体等离子体源和用于生产合成金刚石的微波等离子体化学气相沉积（microwave plasma chemical vapour deposition，MPCVD）设备。
Gallium Semi的ISM CW放大器GTH2e-2425300P（照片：美国商业资讯）
3D RF Energy Corp执行官Roger Williams表示：“GTH2e-2425300P为2.45GHz ISM固态电源设计的性能和易用性树立了全新的标准。它的内部匹配功能实现了简单的PCB设计，无论是效率为76%的400W窄带设计，还是整个频带效率为72-74%的300W设计均是如此。它在AB级和C级都表现良好，并且其饱和功率下17dB的增益简化了驱动器的要求。”
GTH2e-2425300P可在2.4至2.5 GHz的频率范围内运行，并由50 V供电轨供电，从而产生了能够重新定义射频功率能力基准的效率额定值。该HEMT的峰值效率为76%（脉冲、100?s、10%占空比），体现了Gallium Semiconductor致力于提高射频性能的决心。相关测量数据显示，在连续波操作下，排水效率超过72%。符合资格的客户可以订购固定调谐演示板。
Gallium Semiconductor多市场产品营销总监Angelo Andres指出：“GTH2e-2425300P标志着射频功率放大的演变趋势，并强调了我们致力于优化ISM应用的性能的决心。各位工程师们正在寻找强大的供应链合作伙伴，以实现长期的产品可用性并获得长久的产品支持，而这正是Gallium Semiconductor通过GTH2e-2425300P所能够提供的。我们将会继续加强我们在ISM市场的产品组合，以进一步支持我们的客户。“
