SK 海力士正准备推出“2.5D 扇出”封装作为其下一代存储半导体技术。由于今年在高带宽内存（HBM）领域的成功表现，SK海力士对下一代芯片技术领域充满信心，似乎正在加紧努力，通过开发“”内存产品来确保技术领先地位。
11月26日业内人士透露，SK海力士正准备将2.5D Fan-out封装技术集成到继HBM之后的下一代DRAM中。
这项新技术将两个 DRAM 芯片水平排列，然后将它们组合起来，就像它们是一个芯片一样。一个特征是芯片变得更薄，因为它们下面没有添加基板。这使得信息技术 (IT) 设备中安装的芯片厚度显着减小。SK海力士预计早将于明年公开披露使用这种封装制造的芯片的研究结果。
SK海力士的尝试相当独特，因为2.5D Fan-out封装此前从未在内存行业尝试过。该技术主要应用于先进系统半导体制造领域。全球领先的半导体代工厂台积电于2016年首次将扇出晶圆级封装（FOWLP）商业化，用于生产iPhone的应用处理器，从而获得了苹果的信任。三星电子从今年第四季度开始将这项技术引入到 Galaxy 智能手机的先进 AP 封装中。
SK海力士在存储半导体领域应用扇出封装的一个主要原因被解读为封装成本的降低。业界将2.5D扇出封装视为一种可以通过跳过硅通孔（TSV）工艺同时增加输入/输出（I/O）接口数量来降低成本的技术。业界推测这种封装技术将应用于图形DRAM（GDDR）和其他需要扩展信息I/O的产品。
SK海力士利用这项技术抢占内存产品小批量多样化的IT趋势的战略正在变得更加清晰。SK海力士正在巩固与世界图形处理单元（GPU）公司Nvidia的合作，该公司在HBM市场处于领先地位，该市场作为下一代DRAM而受到关注。还有一个例子是，SK海力士为苹果新AR设备“Vision Pro”中安装的“R1”计算单元生产并提供了特殊DRAM。SK海力士总裁Kwak No-jung表示：“在人工智能时代，我们将把存储半导体创新为针对每个客户的差异化产品。”
